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J-GLOBAL ID：202002290785021961   整理番号：20A1116686

光電気化学太陽電池用の薄い半導体膜CuBi_2O_4【JST・京大機械翻訳】

Thin semiconductor films CuBi₂O₄ for photoelectrochemical solar cells

著者 (4件)： Puzikova Darya (“D.V. Sokolsky Institute of Fuel, Catalysis and Electrochemistry” JSC, Almaty 050010, Kazakhstan) ,  Puzikova Darya (Al-Farabi Kazakh National University, Faculty of Physics and Technology, Almaty 050040, Kazakhstan) ,  Dergacheva Margarita (“D.V. Sokolsky Institute of Fuel, Catalysis and Electrochemistry” JSC, Almaty 050010, Kazakhstan) ,  Khussurova Gulinur (“D.V. Sokolsky Institute of Fuel, Catalysis and Electrochemistry” JSC, Almaty 050010, Kazakhstan)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 25  号： P1  ページ： 1-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学合成法を開発し,太陽水分解に使用する有望な半導体薄膜CuBi_2O_4を製造した。この方法は,酸溶液から1:2のCu:Bi比を持つ電着Cu-Bi薄膜を含み,空気中600°CでCuBi_2O_4に熱的に酸化する。また,AgドープCuBi_2O_4試料を電解質中にAgイオンを添加し,一段階で共電着により調製した。堆積した膜を0.1M Na_2SO_4と0.1M NaOH中での方法PECにより,「光オフ/ライト」モードで波長465nmの変調照明下で研究した。Ag+イオンがBi3+イオンを置換的に置換するため,AgドープCuBi_2O_4中で正孔濃度は増加した。結果として,光電流は4時間で増加した。量子効率の増加による複雑な化合物の合成は,このようなAgドープCuBi_2O_4薄膜電極の製造を開発することを可能にする。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電流 ,  *太陽 ,  *太陽電池 ,  電着 ,  薄膜 ,  半導体薄膜 ,  *ビスマス ,  *銅 ,  波長 ,  ドーピング ,  電解質 ,  膜電極 ,  量子効率 ,  *光電気化学
準シソーラス用語： 水分解 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 太陽エネルギー材料 ,  p-CuBi_2O_4 ,  半導体 ,  水素製造 ,  光電気化学電池 ,  水分解

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光電気化学 ,  太陽電池 ,  半導体膜