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J-GLOBAL ID：202002290860712134   整理番号：20A2534739

シリコン量子井戸の谷分裂に及ぼす量子Hallエッジストリップの効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of Quantum Hall Edge Strips on Valley Splitting in Silicon Quantum Wells

著者 (13件)： Wuetz Brian Paquelet (QuTech and Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, PO Box 5046, 2600 GA Delft, Netherlands) ,  Losert Merritt P. (University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706 USA) ,  Tosato Alberto (QuTech and Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, PO Box 5046, 2600 GA Delft, Netherlands) ,  Lodari Mario (QuTech and Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, PO Box 5046, 2600 GA Delft, Netherlands) ,  Bavdaz Peter L. (QuTech and Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, PO Box 5046, 2600 GA Delft, Netherlands) ,  Stehouwer Lucas (QuTech and Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, PO Box 5046, 2600 GA Delft, Netherlands) ,  Amin Payam (Components Research, Intel Corporation, 2501 NW 229th Ave, Hillsboro, Oregon 97124, USA) ,  Clarke James S. (Components Research, Intel Corporation, 2501 NW 229th Ave, Hillsboro, Oregon 97124, USA) ,  Coppersmith Susan N. (University of New South Wales, Sydney New South Wales 2052, Australia) ,  Sammak Amir (QuTech and Netherlands Organisation for Applied Scientific Research (TNO), Stieltjesweg 1, 2628 CK Delft, Netherlands) ,  Veldhorst Menno (QuTech and Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, PO Box 5046, 2600 GA Delft, Netherlands) ,  Friesen Mark (University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706 USA) ,  Scappucci Giordano (QuTech and Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, PO Box 5046, 2600 GA Delft, Netherlands)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 125  号： 18  ページ： 186801  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低無秩序Si量子井戸に閉じ込められた二次元電子における伝導バンド谷のエネルギー分裂を決定した。垂直磁場BとHall密度の両方に対する谷分裂依存性を,広い範囲の充填因子にわたる量子Hall領域における活性化エネルギー測定を行って調べた。谷分裂レベルの移動度ギャップはBと共に直線的に増加し,Hall密度には著しく依存しない。データは,谷分裂がバルク密度ではなく,量子Hallエッジストリップを横切る密度[数式:原文を参照]の増分変化に依存する輸送モデルと一致する。これらの結果に基づいて,谷分裂は,[数式:原文を参照]の速度で密度と共に増加し,これは,ほぼ完全な量子井戸トップ界面の理論的予測と一致した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  界面 ,  活性化エネルギー ,  *ケイ素 ,  伝導バンド ,  二次元 ,  容積重 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： 輸送モデル ,  充填率 ,  垂直磁場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  量子井戸 ,  谷 ,  量子 ,  エッジ ,  ストリップ