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J-GLOBAL ID:202002290925576730   整理番号:20A0918897

スピン-軌道トルクによる交換バイアス系における多準位安定残留状態の調整【JST・京大機械翻訳】

Tailoring Multilevel-Stable Remanence States in Exchange-Biased System through Spin-Orbit Torque
著者 (9件):
資料名:
巻: 30  号: 15  ページ: e1909092  発行年: 2020年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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多重レベル残留状態は超高密度記憶と神経形態計算に応用できる可能性がある。垂直磁化Pt/Co/IrMnヘテロ構造において,スピン-軌道トルク(SOT)による多準位残留状態の連続的な調整を報告した。交換バイアス場のSOT制御符号により,一つの残留状態のみを持つ二重バイアスヒステリシスループを,正または負の単一バイアスループから同調できた。サブループの高さに関連した残留磁気状態は,正と負に配向した強磁性ドメインの比を調整することにより,連続的に変化した。多重レベル貯蔵セルを,電流パルスの符号および/または大きさを変化させることにより残留Hall抵抗を読み出すことにより実証した。連続電流パルスの下で残留Hall抵抗を変化させることにより,神経形態計算のためのシナプス可塑性挙動もシミュレートした。本研究は,SOTが二重バイアス重金属/強磁性/反強磁性系における残留磁気状態を調整する有効な方法であることを実証した。SOTにより駆動される多準位安定残留磁気状態は,将来のマルチレベルメモリと神経形態計算デバイスへの応用の可能性を示す。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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セラミック・磁器の性質  ,  金属薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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