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J-GLOBAL ID:202002291047562040   整理番号:20A0909117

多重物理学に基づくSchottkyダイオード整流器のためのフィールド回路コシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Field-Circuit Co-Simulation for Schottky Diode Rectifier Based on Multiphysics
著者 (3件):
資料名:
巻: 2019  号: ICMMT  ページ: 1-3  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体デバイスの非線形特性はマイクロ波能動回路の性能に重要な役割を果たす。従来の完全波動場回路共同シミュレーション法は等価回路モデルに基づいている。しかし,大信号条件下では,等価回路モデルに基づく共通使用共シミュレーションは,大きなシミュレーション誤差をもたらす可能性がある。等価回路モデルと比較して,半導体物理モデルとドリフト拡散モデルの組合せは,半導体デバイスをより良く記述することができた。そして,これに基づいて,多物理シミュレーションをフィールド回路共同シミュレーションに統合した。本論文では,実際の5.8GHz Schottkyダイオード整流器を例として,Schottkyダイオード整流器のシミュレーション結果は測定データとほぼ一致した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 

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