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J-GLOBAL ID：202002291075323559   整理番号：20A2475101

酸化物分子ビームエピタキシャル成長のその場X線および電子散乱研究【JST・京大機械翻訳】

In situ x-ray and electron scattering studies of oxide molecular beam epitaxial growth

著者 (9件)： Yan Xi (Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Wrobel Friederike (Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Li Yan (Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Zhou Hua (X-ray Science Division, Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Wang Huan-hua (Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Bhattacharya Anand (Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Sun Jirong (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Hong Hawoong (X-ray Science Division, Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Fong Dillon D. (Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 8  号： 10  ページ： 101107-101107-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーによる複合酸化物薄膜の成長に関するその場シンクロトロンX線回折(SXRD)/反射高エネルギー電子回折(RHEED)研究を行った。先進光子源に位置するユニークな堆積チャンバは,単層精度を有する複合酸化物試料の調製を可能にし,その場X線研究とより一般的なRHEED研究の間の直接相関の形成を容易にする。重要なことは,SXRDとRHEEDが薄膜合成過程で異なる原子スケールプロセスをプローブするので,それらの同時使用は,プローブのみから決定できない成長挙動に関する詳細の抽出を可能にする。(La_0.18Sr_0.82)(Al_0.59Ta_0.41)O_3(001)上のペロブスカイトLaNiO_3のエピタキシャル成長に関するそのようなその場研究の結果を述べた。成長の初期段階において,RHEEDとX線シグナルは互いに一致せず,規則的なRHEED振動が高品質成長を意味する可能性があるが,膜-基板界面は成長温度での相互拡散の発生により堆積中に著しい変化を受けることを示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  相互拡散 ,  薄膜 ,  プローブ ,  *酸化物 ,  *電子散乱 ,  薄膜成長 ,  単一層 ,  *MBE成長 ,  RHEED
準シソーラス用語： RHEED振動 ,  チャンバ ,  複合酸化物 ,  高品質 ,  原子スケール ,  放射光X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物 ,  分子ビームエピタキシャル成長 ,  X線 ,  電子散乱 ,  研究