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J-GLOBAL ID:202002291084419859   整理番号:20A2519552

XenoN1T過剰のブースト暗黒物質解釈【JST・京大機械翻訳】

Boosted Dark Matter Interpretation of the XENON1T Excess
著者 (11件):
資料名:
巻: 125  号: 16  ページ: 161804  発行年: 2020年 
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,XENON1Tにより観測されたkeV電子反跳事象の過剰に対する可能な説明として,ブースト暗黒物質(BDM)を提案した。BDM粒子は,ビリアル化暗黒物質に典型的な速度よりもはるかに大きく,BDM-電子散乱は自然にkeV電子反跳を生成できる。必要なBDM電子散乱断面積は,重ベクトルメディエーターを持つ簡単なモデルで容易に実現できることを示した。これらの断面積は,太陽から脱出するBDMには大きすぎるが,BDMフラックスは銀河センターまたはハロー暗黒物質消滅から生じる。さらに,BDM信号の毎日の変調が存在し,様々な背景からそれを識別できるだけでなく,BDMフラックスの重要な方向性情報も提供する。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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電子と陽電子の衝突によるハドロンの生成 
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