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J-GLOBAL ID：202002291113017209   整理番号：20A1636968

トンネル接合における電場駆動二重機能分子スイッチ【JST・京大機械翻訳】

Electric-field-driven dual-functional molecular switches in tunnel junctions

著者 (13件)： Han Yingmei (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Nickle Cameron (Department of Physics, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Zhang Ziyu (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Astier Hippolyte P. A. G. (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Duffin Thorin J. (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Duffin Thorin J. (NUS Graduate School for Integrative Sciences and Engineering, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Qi Dongchen (Centre for Materials Science, School of Chemistry and Physics, Queensland University of Technology, Brisbane, Queensland, Australia) ,  Wang Zhe (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  del Barco Enrique (Department of Physics, University of Central Florida, Orlando, FL, USA) ,  Thompson Damien (Department of Physics, Bernal Institute, University of Limerick, Limerick, Ireland) ,  Nijhuis Christian A. (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Nijhuis Christian A. (NUS Graduate School for Integrative Sciences and Engineering, National University of Singapore, Singapore, Singapore) ,  Nijhuis Christian A. (Centre for Advanced 2D Materials and Graphene Research Center, National University of Singapore, Singapore, Singapore)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 19  号： 8  ページ： 843-848  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)における漏話を避け,漏れ電流を抑制するため,抵抗スイッチと電流整流器(ダイオード)を,通常,1ダイオードオン抵抗器(1D-1R)RRAMで直列に組み合わせる。しかし,これは次世代RRAMの設計を複雑にし,デバイスのフットプリントを増加させ,2つの連続接合1を超える電位降下として動作電圧を増加させる。ここでは,ダイオードおよび可変抵抗の前例のない二重機能性を提供する分子に基づく分子トンネル接合を報告し,電流整流比2.5×104および抵抗オン/オフ比6.7×103,および,0.89Vの低い駆動電圧を有する分子スケール1D-1R RRAMをもたらした。スイッチングはレドックス単位の二量化に依存し,方向性イオン移動を伴う分子軌道のハイブリダイゼーションをもたらした。トンネリング領域で動作するこの電場駆動分子スイッチは,複数の電子機能が2nmだけの厚さで単一分子層内に予めプログラムされる分子デバイスのクラスを可能にする。ダイオードおよび可変抵抗器の両方として作用する多機能分子を用いて,厚さ2nm,良好な電流整流および抵抗オン/オフ比を有するコンパクトな分子スイッチを作製し,0.89Vの低い駆動電圧を必要とした。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Nature Limited 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 整流器 ,  ダイオード ,  電位 ,  *電場 ,  電流 ,  トンネル効果 ,  二量化 ,  *トンネル接合 ,  漏れ電流 ,  酸化還元反応 ,  一次元 ,  整流 ,  *分子スイッチ ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 単一分子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネル接合 ,  電場 ,  分子スイッチ