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J-GLOBAL ID：202002291135438964   整理番号：20A2709978

ITOボトム電極上に蒸着した10nmより小さい直径のHfO_2ナノドットの強誘電特性【JST・京大機械翻訳】

Ferroelectric properties of HfO₂ nanodots with a diameter smaller than 10 nm deposited on an ITO bottom electrode

著者 (2件)： Shin Hyun Wook (Department of Applied Physics and Institute of Natural Sciences, College of Applied Science, Kyung Hee University, Yongin 17104, South Korea) ,  Son Jong Yeog (Department of Applied Physics and Institute of Natural Sciences, College of Applied Science, Kyung Hee University, Yongin 17104, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 117  号： 20  ページ： 202902-202902-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電性を有するHfO_2ナノドットおよびエピタキシャルHfO_2薄膜を,パルスレーザ蒸着(PLD)法により,酸化インジウムスズ底部電極を有するイットリア安定化ジルコニア基板上に成長させた。エピタキシャルHfO_2薄膜の結晶性と強誘電特性を解析し,HfO_2ナノドットの結晶性と歪構造から生じる強誘電特性を比較した。対照としてPLDパルスの全数を用いて,直径7,12,20nm,高さ4.9,7.8,および14.8nmのHfO_2ナノドットを成長させることができた。d_33圧電ヒステリシスループと分極スイッチング現象に基づいて,HfO_2ナノドットが直径7nm以下のスケーリングでも良好な強誘電特性を示すことを確認した。HfO_2ナノドットとエピタキシャルHfO_2薄膜の圧電d_33ヒステリシスループの観察は,HfO_2ナノドットがサイズ効果により強誘電特性を改善することを明らかにした。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  サイズ効果 ,  薄膜 ,  圧電気 ,  *強誘電性 ,  結晶度 ,  パルス ,  分極反転 ,  酸化インジウムスズ ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： YSZ【セラミック】 ,  *ナノドット ,  ヒステリシスループ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ITO ,  ボトム ,  蒸着 ,  直径 ,  ナノドット ,  強誘電特性