文献

J-GLOBAL ID：202002291354908729   整理番号：20A0979834

24.5MeV高エネルギー陽子で照射した三重接合GaInP_2/InGaAs/Ge宇宙グレード太陽電池に関する研究【JST・京大機械翻訳】

A study on triple-junction GaInP₂/InGaAs/Ge space grade solar cells irradiated by 24.5 MeV high-energy protons

著者 (1件)： Karadeniz Hande (Department of Energy Systems Engineering, Giresun University, 28200, Turkey)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 471  ページ： 1-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,三重接合GaInP_2/InGaAs/Ge空間グレード太陽電池に及ぼす高エネルギー陽子曝露効果を報告した。ハード放射環境における太陽電池の劣化を調査するために,詳細で系統的解析を実施して,結果を提示した。照射過程は0~170Gyの線量範囲で24.5MeV陽子を用いて行った。太陽電池の出力パラメータの劣化を,光電流-電圧測定を用いて損傷線量の関数として研究した。電流-電圧特性は,GaAsの基礎サブセルが著しく損傷されたため,短絡電流は開回路電圧よりも劣化しないことを示した。セル性能に及ぼす放射線誘起変位損傷の影響を解析するために,SRIMシミュレーションを実行した。キャリア濃度と界面トラップ密度についての知識を得るために,キャパシタンスとコンダクタンスの測定を行った。キャリア濃度の減少と界面トラップ密度の小さな増加が観察された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光電流 ,  シミュレーション ,  *太陽電池 ,  *陽子 ,  短絡電流 ,  *ヒ化ガリウム ,  電流電圧特性 ,  静電容量 ,  放射線量 ,  キャリア密度 ,  *宇宙空間 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaInP_2/GaAs太陽電池 ,  三重接合 ,  陽子照射 ,  コンダクタンス法

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高エネルギー ,  陽子 ,  三重 ,  InGaAs ,  Ge ,  宇宙 ,  グレード ,  太陽電池 ,  研究