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J-GLOBAL ID:202002291477196838   整理番号:20A0277655

水素発生反応のためのNi_3Se_2/NiSeコア-シェルナノワイヤヘテロ構造のSeモル性調整組成と配置【JST・京大機械翻訳】

Se molarity tuned composition and configuration of Ni3Se2/NiSe core-shell nanowire heterostructures for hydrogen evolution reaction
著者 (14件):
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巻: 819  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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良く配置された不均一界面は,異なる結晶相の相乗効果を利用するための電極触媒活性を強化するのに好都合である。本研究では,軸方向に沿って良く配置された不均一界面を有する超薄NiSeナノフレーク(NF)で包まれた垂直整列単結晶Ni_3Se_2ナノワイヤ(NW)を,後処理なしで単純な一段階水熱法によりニッケル発泡体(Ni発泡体)上に首尾よく成長させた。Ni_3Se_2NWの成長は表面反応機構に従い,NiSeはNi_3Se_2核の表面格子ステップ上の反応性Ni原子と反応し,半径方向と軸方向の両方に沿って成長する。生成物の配置は,加速された反応速度論により動機付けられた化学前駆体におけるSeモル濃度を単に変調することにより,NiSe NFからコア-シェルNW支配構造に調節できる。水素発生反応(HER)性能は,高アスペクトNi_3Se_2/NiSeコア-シェルNWアレイの被覆率の増加,Ni_3Se_2骨格の金属導電性および軸方向に沿った良く配列した不均一界面に起因するSeモル濃度の増加により改善された。よく配置された不均一界面を有するNi_3Se_2/NiSeコア-シェルNWは,他のエネルギーまたは環境応用にも有益である可能性がある。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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塩 

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