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J-GLOBAL ID：202002291530535904   整理番号：20A0745996

無鉛KNN系セラミックにおける欠陥駆動伝導率挙動【JST・京大機械翻訳】

Defect-driven conductivity behavior in lead-free KNN-based ceramics

著者 (4件)： Li Ruichen (Department of Materials Science, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Tan Bo (Department of Materials Science, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Zheng Ting (Department of Materials Science, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Wu Jiagang (Department of Materials Science, Sichuan University, Chengdu 610064, China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 11  ページ： 114103-114103-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉛フリー圧電材料の欠陥駆動特性は,このような材料への深い研究の結果として研究の焦点になっている。ここでは,0.91K_0.5Na_0.5NbO_3-0.05Ag_1-_xNa_xSbO_3-0.04Bi_0.5Na_0.5ZrO_3セラミックの伝導率機構に特別な注意を払った。伝導率に影響を及ぼす欠陥によって誘起される電荷キャリア濃度は異なる温度下で異なる機構を示す。エネルギーバンドダイアグラムを解析することにより,キャリアが酸素空孔と電子であることを同定した。これは誘電緩和に関係している。さらに,Fermi準位とドナーイオン化準位間の比較により,酸素空孔の部分は低温領域で単一イオン化され,これは酸素空孔の第一イオン化エネルギーに近づくFermi準位に起因し,イオン化電子は酸素空格子点の第一イオン化エネルギーよりはるかに低く,第二イオン化エネルギーに近いFermi準位に起因することを見出した。著者らは,イオン化電子の欠陥と起源の解析がK_0.5Na_0.5NbO_3ベースのセラミックにおける電気的性質をさらに強化するのを助けることを望んでいる。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  電気的性質 ,  Fermi準位 ,  *セラミック ,  イオン化 ,  ドナー ,  誘電緩和 ,  イオン化ポテンシャル
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  電荷キャリア ,  *伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： KNN ,  セラミック ,  欠陥 ,  伝導率 ,  挙動