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J-GLOBAL ID：202002291593430426   整理番号：20A0765760

キトサンとキチンへのIn(III)吸着の機構に関する解釈:物質移動モデルアプローチ【JST・京大機械翻訳】

Interpretations on the mechanism of In(III) adsorption onto chitosan and chitin: A mass transfer model approach

著者 (4件)： Franco Dison S.P. (Chemical Engineering Department, Federal University of Santa Maria, 97105-900 Santa Maria, Brazil) ,  Vieillard Julien (Normandie Universite, INSA Rouen, UNIROUEN, CNRS, COBRA, 55 Rue Saint Germain, 27000 Evreux, France) ,  Salau Nina Paula G. (Chemical Engineering Department, Federal University of Santa Maria, 97105-900 Santa Maria, Brazil) ,  Dotto Guilherme Luiz (Chemical Engineering Department, Federal University of Santa Maria, 97105-900 Santa Maria, Brazil)
資料名： Journal of Molecular Liquids  (Journal of Molecular Liquids)
巻： 304  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0924A  ISSN： 0167-7322  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キチンとキトサンへのIn(III)吸着の物質移動機構を本研究で解明した。キトサンとキチンはそれぞれ3.60と4.30m~2g~(-1)の比表面積値を示し,平均細孔半径はそれぞれ14.30と33.10Åであった。それは,キトサンとキチン,典型的なグループ(例えばNHとCO)で同定された。両方の材料は,プレートに似た形状を持つ,可視孔と空洞の存在なしで,剛体表面を示すことが分かった。更なる分析は,両材料の表面上にIn(III)の存在を示した。等温線実験は,温度が両方の材料の吸着容量の増加を引き起こすことを示した。Langmuirモデルを両ケースの平衡を記述するために選択した。外部物質移動モデル(EMTM)および細孔容積および表面拡散モデル(PVSDM)を用いて,キトサンおよびキチンに対するインジウム濃度減衰曲線を記述した。それにもかかわらず,修正Biot数(8.82×10~-4と2.71の間)は,この場合,外部物質移動が支配的な機構であることを示した。さらに,キチンとキトサンは,In(III)に対する効率的な吸着剤であり,その理由は,In(III)の0.35mg・L(-1)のみが,吸着後に溶液中に残留したからである。キトサンはより速い吸着動力学を提供し,この事実はそのより高い外部表面積に起因した。その結果,全体的な物質移動機構は以下の通りであることが明らかになった。バルク溶液中のインジウム種は吸着剤表面に移動し,表面析出及び/又は配位結合により吸着された。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  *物質移動 ,  表面拡散 ,  *インジウム ,  沈殿 ,  吸着剤 ,  *キチン ,  *キトサン ,  配位結合 ,  細孔 ,  Biot数
準シソーラス用語： Langmuirモデル ,  細孔容積 ,  吸着容量 ,  吸着動力学 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 外部物質移動 ,  インジウム ,  物質移動モデル ,  修正Biot数 ,  表面沈殿

分類 (2件)： 吸着剤  (YB03000W) ,  吸着,イオン交換  (XD02060I)

タイトルに関連する用語 (5件)： キトサン ,  キチン ,  吸着 ,  物質 ,  移動モデル