文献

J-GLOBAL ID：202002291612976872   整理番号：20A0864024

ナノおよびオプトエレクトロニクス応用のための2D MOS_2および横方向MOS_2-WS_2ヘテロ構造の大面積パターン化成長【JST・京大機械翻訳】

Large area, patterned growth of 2D MoS₂ and lateral MoS₂-WS₂ heterostructures for nano- and opto-electronic applications

著者 (10件)： Sharma Akhil (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Mahlouji Reyhaneh (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Wu Longfei (Laboratory of Inorganic Materials and Catalysis, Department Chemical Engineering and Chemistry, Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Verheijen Marcel A (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Verheijen Marcel A (Eurofins Materials Science, High Tech Campus 11, 5656 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Vandalon Vincent (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Balasubramanyam Shashank (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Hofmann Jan P (Laboratory of Inorganic Materials and Catalysis, Department Chemical Engineering and Chemistry, Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Kessels W M M (Erwin) (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Bol Ageeth A (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 31  号： 25  ページ： 255603 (12pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲニド(TMD)のパターン化成長とそれらの横方向ヘテロ構造は,応用指向エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスデバイスの作製にとって最も重要である。しかし,TMDの大規模パターン化成長は困難なままである。ここでは,プラズマ増強原子層蒸着(PEALD)と熱硫化の組合せを用いて,エッチングと移動のステップを除去する,デバイスの容易なSiO_2/Si基板上のパターン化多結晶2D MoS_2薄膜の合成を実証した。ALDの固有の利点として,単分子層から数層MoS_2までの範囲の精密な厚さ制御を達成した。さらに,3D構造上の例外的な適合性を有する均一膜を得た。最後に,将来のナノおよびオプトエレクトロニクスデバイス応用におけるそれらの直接集積のための道を開く大面積上の2D MoS_2およびWS_2薄膜の面内横方向ヘテロ構造を得るためのアプローチを活用した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エッチング ,  プラズマ ,  薄膜 ,  単分子層 ,  硫化 ,  多結晶 ,  *電子技術 ,  *オプトエレクトロニクス ,  *二次元 ,  薄膜成長 ,  三次元 ,  *パターン形成
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  シリコンウエハ ,  大面積 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光電デバイス一般  (NC03081P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： オプトエレクトロニクス ,  応用 ,  2D ,  横方向 ,  ヘテロ構造 ,  大面積 ,  パターン化 ,  成長