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J-GLOBAL ID：202002291665057202   整理番号：20A2645816

単層RbAgM(M=SeおよびTe)の優れた熱電特性:第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

Excellent thermoelectric properties of monolayer RbAgM (M = Se and Te): first-principles calculations

著者 (2件)： Gu Jinjie (Hunan Provincial Key Laboratory of Finance&Economics Big Data Science and Technology, School of Information Technology and Management, Hunan University of Finance and Economics, Changsha 410205, P. R. China. [e-mail]) ,  Qu Xilong
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 22  号： 45  ページ： 26364-26371  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子置換法に基づき,KAgSeの一種の誘導体化合物,RbAgM単分子層(M=SeとTe)を成功裏に予測し,超移動度と貧弱な熱輸送能力を示し,熱電(TE)技術におけるそれらの広い応用可能性を示した。密度汎関数理論(DFT)およびBoltzmann輸送方程式(BTE)を用いて,電子バンド構造,熱輸送能力およびTE特性に関する系統的研究を行った。計算結果から,RbAgTe単分子層は,室温で超低格子熱伝導率(0.90Wm-1K-1)を有し,高いSeebeck係数(2320μVK-1)を有することが分かった。さらに,それらの超低熱伝導率をさらに説明するために,フォノン速度とGrueneisenパラメータの解析に焦点を当てた。これらの計算したパラメータを結合することにより,RbAgSeとRbAgTeの予測最大ZT値は,最適n型ドーピングで700Kで2.2と4.1と高く,これは有名なTE材料SnSe(ZT=2.6,923K)に匹敵する。著者らの研究結果は,RbAgMのTE特性の実験的探索のための強い理論的基礎を提供し,更なる実験的検証を促進するのを助ける。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  熱伝導率 ,  フォノン ,  単分子層 ,  *Grueneisen定数 ,  単一層 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  輸送方程式 ,  *第一原理計算 ,  熱輸送 ,  格子熱伝導率 ,  *熱電特性 ,  電子バンド構造 ,  n型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層 ,  Te ,  熱電特性 ,  第一原理計算