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J-GLOBAL ID：202002291822925378   整理番号：20A1796198

クロスバ抵抗メモリのための摩耗平準化【JST・京大機械翻訳】

Wear leveling for crossbar resistive memory

著者 (3件)： Wen Wen (University of Pittsburgh) ,  Zhang Youtao (University of Pittsburgh) ,  Yang Jun (University of Pittsburgh)
資料名： ACM Proceedings  (ACM Proceedings)
号： DAC ’18  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0698C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗メモリ(ReRAM)は,従来のDRAMよりも多くの利点を持つ新興非揮発性メモリ技術である。ReRAMクロスバーは最小4F2平面セルサイズを持ち,従って大きな容量を有する高密度メモリを構築するために広く採用される。しかし,ReRAMクロスバーは,大きなスニーキ電流とIR降下に悩まされる。書き込み信頼性を確保するために,ReRAM書き込みドライバは,理想的な書込み電圧より大きく選択し,それは,ランタイムで多くのセルをオーバー-SET/over-RESETで,そして,ひどく劣化するチップ寿命に導く。本論文では,ReRAMクロスバー用の新しいテーブルベース摩耗レベリング方式であるXWLを提案した。ReRAMクロスバーにおける書き込み耐久性と電圧ストレスの間の相関を研究した。ランタイムで異なる列に効果的書き込み応力を推定,追跡することによって,XWLは,最も軽減するのにストレスを与えるものを選択する。著者らの実験結果は,平均で,XWLが,ベースラインより324%だけReRAMクロスバー寿命を改善し,6.1%の性能オーバヘッドだけであることを示した。Please refer to this article’s citation page on the publisher website for specific rights information. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  電圧 ,  電流 ,  *摩耗 ,  信頼性 ,  *レベリング ,  耐久性 ,  不揮発性メモリ ,  DRAM
準シソーラス用語： セルサイズ ,  電圧ストレス ,  オーバヘッド ,  高密度 ,  ReRAM ,  *抵抗メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： クロスバアレイ ,  耐久性 ,  抵抗メモリ ,  摩耗平準化

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： クロスバ ,  抵抗メモリ ,  摩耗 ,  平準化