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J-GLOBAL ID：202002291837886580   整理番号：20A2723653

GaAs(111)B基板上のMn_5Ge_3超薄膜:初期成長条件の影響【JST・京大機械翻訳】

Mn₅Ge₃ ultra-thin films on GaAs (111)B substrates: Influence of initial growth conditions

著者 (9件)： Gutierrez-Ojeda S.J. (Universidad Autonoma de Puebla, Instituto de Fisica, Apartado Postal J-48, Puebla, 72570, Mexico) ,  Gutierrez-Ojeda S.J. (Laboratorio de Superficies e Interfaces, Universidade Federal do Parana, C. P. 19044, CEP 81531-990, Curitiba, Parana, Brazil) ,  de Oliveira R.C. (Laboratorio de Superficies e Interfaces, Universidade Federal do Parana, C. P. 19044, CEP 81531-990, Curitiba, Parana, Brazil) ,  Fernandez-Escamilla H.N. (Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Centro de Nanociencias y Tecnologia, Codigo Postal, 22800, Ensenada, Baja California, Mexico) ,  Ponce-Perez R. (Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Centro de Nanociencias y Tecnologia, Codigo Postal, 22800, Ensenada, Baja California, Mexico) ,  Guerrero-Sanchez J. (Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Centro de Nanociencias y Tecnologia, Codigo Postal, 22800, Ensenada, Baja California, Mexico) ,  Mosca D.H. (Laboratorio de Superficies e Interfaces, Universidade Federal do Parana, C. P. 19044, CEP 81531-990, Curitiba, Parana, Brazil) ,  Cocoletzi Gregorio H. (Universidad Autonoma de Puebla, Instituto de Fisica, Apartado Postal J-48, Puebla, 72570, Mexico) ,  Varalda J. (Laboratorio de Superficies e Interfaces, Universidade Federal do Parana, C. P. 19044, CEP 81531-990, Curitiba, Parana, Brazil)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 148  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反射高エネルギー電子回折とX線光電子分光法を用いて,面内結晶構造と表面化学のその場モニタリングにより,異なる初期条件下のGaAs(111)B基板とMn_5Ge_3超薄膜の相互作用を報告した。GaAs表面に到着するMnおよびGe吸着原子の秩序は,界面元素化学量論,結晶品質および膜熱安定性を決定する。成長がMnとGe細胞を開放して開始すると,GaAs(111)表面との強い反応を阻害するのに十分であった。第一原理計算は,GaAs(111)B上のMn_5Ge_3エピタキシャル成長が実現可能であり,格子不整合が2.3%であり,これは,著者らのRHEED測定の精度内で少なくとも2.6%の推定値と一致することを示した。結果は,Mn_5Ge_3/GaAs半導体ヘテロ構造を達成するためのMBE成長戦略の設計に意味がある。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  結晶構造 ,  相互作用 ,  半導体 ,  *ゲルマニウム ,  *マンガン ,  *ヒ化ガリウム ,  化学量論 ,  MBE成長 ,  *超薄膜 ,  格子不整合
準シソーラス用語： 吸着原子 ,  結晶品質 ,  ヘテロ構造 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaAs表面 ,  エピタキシャル成長 ,  密度汎関数理論 ,  Mn_5Ge_3 ,  X線光電子分光法

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  超薄膜 ,  初期 ,  成長条件