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J-GLOBAL ID：202002291864107049   整理番号：20A2799313

C-,Si-およびGe-ドープ亜鉛ブレンドカドミウムカルコゲナイドの生成エネルギー論,電子構造および強磁性特性【JST・京大機械翻訳】

Formation Energetics, Electronic Structure and Ferromagnetic Properties of C-, Si- and Ge-Doped Zinc Blende Cadmium Chalcogenides

著者 (8件)： Elahi Irfan (Department of Physics, University of Sargodha, 40100 Sargodha, Pakistan) ,  Alay-e-Abbas Syed Muhammad (Department of Physics, Government College University, Faisalabad, Allama Iqbal Road, 38040 Faisalabad, Pakistan) ,  Nazir Safdar (Department of Physics, University of Sargodha, 40100 Sargodha, Pakistan) ,  Abbas Ghulam (School of Materials Science and Engineering, Hanshan Normal University, Chaozhou 521041, China) ,  Abbas Ghulam (College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Akbar Waseem (Department of Physics, University of Sargodha, 40100 Sargodha, Pakistan) ,  Shaukat Ali (Department of Physics, University of Lahore, Sargodha Campus, 40100 Sargodha, Pakistan) ,  Tahir Muhammad Nawaz (Department of Physics, University of Sargodha, 40100 Sargodha, Pakistan)
資料名： Materials Today Communications  (Materials Today Communications)
巻： 25  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3060A  ISSN： 2352-4928  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,スピン偏極密度汎関数理論計算を用いて,アニオンサイトで14族元素M=C,SiおよびGeをドープした閃亜鉛鉱型カドミウムカルコゲン化物CdCh(Ch=S,SeおよびTe)化合物の構造,エネルギー,電子および磁気特性を調べた。すべてのMドープCdCh系の安定性を,置換ドーピングに関与する原子種に対する化学ポテンシャルの選択値における生成エネルギーを計算することによって調べた。さらに,非ドープおよびドープ系の熱安定性をab-initio分子動力学シミュレーションを用いて調べた。MドープCdCh系の磁気モーメントと共に結合長に及ぼす構造緩和の影響は,ドーパントとカルコゲン原子の電気陰性度と原子半径の違いがこれらの材料の磁気挙動を決定することを示した。著者らの結果は,Mドープカドミウムカルコゲン化物におけるスピン分極電子特性は,主にドーパントテレルのp軌道の占有に起因することを明らかにした。すべてのMドープCdSとCdSe化合物とGeドープCdTeにおいて,それぞれスピンアップとスピンダウンチャネルにおける非対称絶縁とp型の性質が得られ,スーパーセル当たり2.0μ_Bの全磁気モーメントをもたらした。一方,シリコンと炭素ドープCdTeの磁気モーメントは,それぞれ1.88μ_Bと0.07μBであり,消滅磁気モーメントは,Si-3pとC-2p状態のスピンアップとスピンダウン状態の電子の非対称分布の減少によって引き起こされた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強磁性 ,  磁気モーメント ,  *電子構造 ,  計算機シミュレーション ,  *カドミウム ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  炭素 ,  スピン分極 ,  非対称性 ,  *ドーピング ,  酸素族元素 ,  アニオン ,  テルル化カドミウム ,  ドーパント
準シソーラス用語： スピンアップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： カドミウムカルコゲナイド ,  強磁性 ,  半導体 ,  形成エネルギー ,  電子構造

分類 (4件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  Ge ,  ドープ ,  亜鉛 ,  生成エネルギー ,  電子構造 ,  強磁性