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J-GLOBAL ID：202002291947009640   整理番号：20A2455145

レーザアブレーションにより堆積した[Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O_3-0.5(Ba_0.7Ca_0.3)TiO_3]/Ni_0.8Zn_0.2Fe_2O_4二層薄膜の室温磁気電気特性【JST・京大機械翻訳】

Room temperature magnetoelectric properties of [Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O₃-0.5(Ba_0.7Ca_0.3)TiO₃]/Ni_0.8Zn_0.2Fe₂O₄ bilayer thin films deposited by laser ablation

著者 (4件)： Rani Jyoti (Department of Physics, Maulana Azad National Institute of Technology, Bhopal, 462003, India) ,  Kushwaha Varun K. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, 400076, India) ,  Patel Piyush K. (Department of Physics, Maulana Azad National Institute of Technology, Bhopal, 462003, India) ,  Tomy C.V. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, 400076, India)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 256  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電性-強磁性[Ba(Zr_0.2Ti_0.8)O_3-0.5(Ba_0.7Ca_0.3)TiO_3](160nm)/Ni_0.8Zn_0.2Fe_2O_4(30nm,60nm)二層薄膜((BZT-0.5BCT)/NZFO)を,パルスレーザ蒸着法によりPt/Si(100)基板上に成長させた。X線回折分析は,界面で中間相のない膜の多結晶性を確認した。(BZT-0.5BCT)/NZFO(60nm)二層薄膜について,室温で,誘電率の大きな値(周波数100Hzでε′2.03×103)と残留磁化(M_r|≦45.25emu/cc)を観測した。二層(BZT-0.5BCT)/NZFO(30nm)薄膜は,飽和強誘電性ループを示し,大きな偏光P_r||5.57μC/cm2とP_s 20μC/cm2を示した。室温で(BZT-0.5BCT)/NZFO(30nm)薄膜について,ME係数の大きな値(α_EΔλ320mV/cm.Oe)を得た。これは鉛フリーMEデバイス応用の可能性を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  界面 ,  強磁性 ,  残留磁化 ,  *薄膜 ,  偏光 ,  誘電率 ,  白金 ,  X線回折分析 ,  強誘電性 ,  *磁気 ,  多結晶 ,  *電気特性 ,  *レーザアブレーション ,  パルスレーザ蒸着

著者キーワード (4件)： 磁気電気ヘテロ構造 ,  薄膜 ,  磁気測定 ,  X線回折

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： レーザアブレーション ,  堆積 ,  Ba ,  薄膜 ,  室温 ,  磁気 ,  電気特性