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J-GLOBAL ID：202002292213786537   整理番号：20A2452281

GaAs(001)上のInAs量子ドットの間欠的成長【JST・京大機械翻訳】

Intermittent growth for InAs quantum dot on GaAs(001)

著者 (7件)： Toujyou Takashi (National Institute of Technology, Anan College, Tokushima 774-0017, Japan) ,  Toujyou Takashi (The University of Electro-Communications, Tokyo 182-8585, Japan) ,  Konishi Tomoya (National Institute of Technology, Anan College, Tokushima 774-0017, Japan) ,  Hirayama Motoi (National Institute of Technology, Anan College, Tokushima 774-0017, Japan) ,  Yamaguchi Koichi (The University of Electro-Communications, Tokyo 182-8585, Japan) ,  Tsukamoto Shiro (National Institute of Technology, Anan College, Tokushima 774-0017, Japan) ,  Tsukamoto Shiro (The University of Milano-Bicocca, Milano 20125, Italy)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 551  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 500°CでGaAs(001)上にInAs量子ドット(QD)の間欠的成長を行った。成長中の表面構造の遷移を反射高エネルギー電子回折観察を用いて調べた。また,分子線エピタキシーチャンバ内に走査トンネル顕微鏡を備えたSTMBEシステムを用いて,QD核形成のin situ観察も行った。初期QD形成は,間欠的InAs供給で1.15から1.38MLまで起こることを見出した。このInAs供給量は通常の連続堆積(約1.66ML)のそれより非常に小さかった。さらに,QDは主にテラス上に現れ,一方,それらは500°Cでの連続的成長によってステップエッジ上に主に現れる。これは,間欠成長のアニーリング部分がInGaAs濡れ層の表面原子構造に影響し,Inゆらぎを均一にし,表面形態を安定化したことを示す。大きな(n×3)および(2×4)領域の調製により,QD核形成は,表面上により小さなInAs供給で起きた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  焼なまし ,  表面構造 ,  ゆらぎ ,  *インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  原子構造 ,  MBE成長 ,  RHEED ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *量子ドット ,  表面形態 ,  構造
準シソーラス用語： 濡れ層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A3.間欠的成長 ,  B2 InAs ,  A1.量子ドット ,  A1.表面再構成 ,  A1.走査トンネル顕微鏡 ,  A1.反射高エネルギー電子回折

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  InAs量子ドット ,  間欠 ,  成長