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J-GLOBAL ID：202002292225498102   整理番号：20A2631481

光検出器応用のためのNdドープZnOナノワイヤのオプトエレクトロニクスパラメータの増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of optoelectronic parameters of Nd-doped ZnO nanowires for photodetector applications

著者 (12件)： Poul Raj I. Loyola (Department of Physics, Ananda College, Devakottai, 630303, India) ,  Valanarasu S. (PG and Research Department of Physics, Arul Anandar College, Karumathur, Madurai, Tamil Nadu, 625 514, India) ,  Hariprasad K. (Department of Physics, Institute of Aeronautical Engineering, Dundigal, Hyderabad, 500043, India) ,  Ponraj Joice Sophia (Centre for Advanced Materials, Aaivalayam-Dynamic Integrated Research Academy and Corporations (DIRAC), Coimbatore, 641046, India) ,  Ponraj Joice Sophia (Department of Micro and Nanofabrication, International Iberian Nanotechnology Laboratory (INL), 4715-330, Braga, Portugal) ,  Chidhambaram N. (Department of Physics, Rajah Serfoji Government College (Autonomous), Thanjavur, 613 005, Tamil Nadu, India) ,  Ganesh V. (Research Center for Advanced Materials Science(RCAMS), King Khalid University, Abha 61413, P.O. Box 9004, Saudi Arabia) ,  Ganesh V. (Advanced Functional Materials and Optoelectronic Laboratory (AFMOL), Department of Physics, College of Science, King Khalid University, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  Ali H. Elhosiny (Research Center for Advanced Materials Science(RCAMS), King Khalid University, Abha 61413, P.O. Box 9004, Saudi Arabia) ,  Ali H. Elhosiny (Advanced Functional Materials and Optoelectronic Laboratory (AFMOL), Department of Physics, College of Science, King Khalid University, Abha, 61413, Saudi Arabia) ,  Ali H. Elhosiny (Physics Department, Faculty of Science, Zagazig University, 44519, Zagazig, Egypt) ,  Khairy Yasmin (Physics Department, Faculty of Science, Zagazig University, 44519, Zagazig, Egypt)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 109  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プリスチンおよびネオジムドープ(3,6および9wt%)ZnOナノ構造薄膜を化学浴法を用いてガラス基板上に堆積させた。構造,トポグラフィー,光ルミネセンスおよびUV検出特性の変化を調べた。XRD研究は,(002)ピークの強い罹患率を持つ六方晶構造のZnO相を確認した。Ndドーピングは,成長した材料のバンドギャップ値を3.33から3.18eVに減少させた。成長したナノワイヤの光ルミネセンス研究は,それぞれ387,412,438,452,477,525nmのルミネセンス中心の存在を示した。Ndドーピング量が0から6%に増加すると光電流値は5.37×10-7から3.77×10-6Aに増加した。純粋及びドープ試料の応答性,外部量子効率及び検出性も調べた。6%のNdドープ試料は光電子パラメータの改善された値を示し,それが光検出器応用の有望な候補であることを示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  光電流 ,  薄膜 ,  *光検出器 ,  光ルミネセンス ,  *ネオジム ,  *酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  *オプトエレクトロニクス ,  六方晶系 ,  ナノ構造 ,  バンドギャップ ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnO ,  Ndドーピング ,  CBD法 ,  光ルミネセンス ,  光検出器

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光検出器 ,  応用 ,  Nd ,  ドープ ,  ZnOナノワイヤ ,  増強