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J-GLOBAL ID：202002292269276902   整理番号：20A2778676

不整合誘起応力の影響を考慮した素子密度増加のためのヘテロ構造に基づく増強スイング微分Colpitts発振器製造の最適化の予後について【JST・京大機械翻訳】

On prognosis of optimization of manufacturing of an enhanced swing differential Colpitts oscillator based on heterostructures to increase density of elements with account influence of mismatch-induced stress

著者 (2件)： Pankratov E. L. (Nizhny Novgorod State University, Nizhny Novgorod, Russia) ,  Pankratov E. L. (Nizhny Novgorod State Technical University, Nizhny Novgorod, Russia)
資料名： ISSS Journal of Micro and Smart Systems  (ISSS Journal of Micro and Smart Systems)
巻： 9  号： 2  ページ： 151-162  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4508A  ISSN： 2509-7989  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電界効果トランジスタに基づく増強スイング微分Colpitts発振器を考察した。物質移動の解析に基づいて,これらの電界効果トランジスタの密度を増加させるためのアプローチを導入した。このアプローチを説明するために,著者らは,特定の構成:基板を有するヘテロ構造におけるこれらのトランジスタの製造を考察した。他の材料を用いて作製したいくつかの断面を持つエピタキシャル層;基板とエピタキシャル層の間のバッファ層。考察した部分は,ヘテロ構造の製造後の拡散またはイオン注入によってドープされるべきである。ドーピング後,注入されたドーパントと照射欠陥(照射欠陥はイオン注入中に発生)は,アニールされたフレームワーク最適化スキームによって,発生した。また,考察した振動子の製造時に,考察したヘテロ構造における不整合誘起応力を減少させる可能性を考察した。発振器の製造中の上記ヘテロ構造における物質移動の解析を行うために,解析的手法を導入した。この手法は,層間の界面での溶液の架橋なしに多層構造における物質移動を解析する可能性を与える。不整合誘起応力を考慮して,線形および非線形質量輸送のパラメータの空間的および時間的変化を考慮に入れる。Copyright Institute of Smart Structures & Systems, Department of Aerospace Engineering, Indian Institute of Science, Bangalore 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *最適化 ,  物質移動 ,  トランジスタ ,  *発振器 ,  FET【トランジスタ】 ,  イオン注入 ,  *微分 ,  ドーピング ,  多層構造 ,  ドーパント ,  バッファ層
準シソーラス用語： 照射欠陥 ,  *ヘテロ構造 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 増強スイング微分Colpitts発振器 ,  製造の最適化 ,  元素の密度の増加

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： 不整合 ,  誘起 ,  応力 ,  密度 ,  ヘテロ構造 ,  増強 ,  スイング ,  微分 ,  Colpitts発振器 ,  最適化 ,  予後