文献

J-GLOBAL ID：202002292367020313   整理番号：20A2576712

本質的に伸縮可能なトランジスタのための分子量調整による同期的に改善された伸縮性と移動度【JST・京大機械翻訳】

Synchronously improved stretchability and mobility by tuning the molecular weight for intrinsically stretchable transistors

著者 (10件)： Ren Hang (Centre for Advanced Optoelectronic Functional Materials Research and Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology, Ministry of Education, Northeast Normal University, Changchun 130024, P. R. China. [e-mail]) ,  Zhang Junmo ,  Tong Yanhong ,  Zhang Jidong ,  Zhao Xiaoli ,  Cui Nan ,  Li Yuanzheng ,  Ye Xiaolin ,  Tang Qingxin ,  Liu Yichun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 8  号： 44  ページ： 15646-15654  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 医療,インテリジェントロボットおよび電子通信のための皮膚様電子デバイスの商業的応用は,本質的に伸縮可能なトランジスタにより提供される高い機械的変形性およびロバスト性を有する大規模な高密度トランジスタアレイを必要とする。しかし,現在報告された高分子半導体における相反する結晶性支配移動度と伸縮性は,非常に限られた高移動度の本質的に伸縮可能なトランジスタをもたらす。ここでは,強い鎖内輸送を有する高分子に基づいて,著者らは,PIDTBT膜において,0.56から1.95cm2V-1s-1への移動度の増加および26から97%への亀裂開始歪の増加を同時に達成するための分子量変調の使用を先駆した。分子量変調に基づいて,最大100パーセント歪までの伸縮性と1.84cm2V-1s-1までの移動度を有する高性能固有伸縮性トランジスタアレイを実証した。さらに,伸縮性トランジスタアレイは,静的および動的伸縮歪において,平方センチメートル当たり375デバイスおよび良好な電気的性能の高いデバイス密度を示した。この結果は,高い移動度を有する本質的に伸縮可能なトランジスタを創造するための新しい戦略を提供し,次世代伸縮性エレクトロニクスの大規模高密度生産に対する前例のない機会を提供した。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  *トランジスタ ,  *分子量 ,  高分子 ,  結晶度 ,  通信 ,  知能ロボット ,  高分子半導体 ,  亀裂発生 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 電子素子 ,  高密度 ,  伸縮性 ,  高移動度 ,  伸縮性エレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 伸縮 ,  トランジスタ ,  分子量調整 ,  伸縮性 ,  移動度