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J-GLOBAL ID：202002292820006579   整理番号：20A0425090

CdTeとSnターゲットの同時レーザアブレーションにより堆積したCdTe:Sn薄膜【JST・京大機械翻訳】

CdTe:Sn thin films deposited by the simultaneous laser ablation of CdTe and Sn targets

著者 (10件)： Rivera L P (Departamento de Fisica Aplicada a la Ingenieria Industrial, E T S I I Universidad Politecnica de Madrid, Spain) ,  Garcia E (CONACyT-Universidad de Guadalajara, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingenierias, Jalisco, Mexico) ,  Cardona D (Facultad de Ciencias Fisico Matematicas, Universidad Michoacana de San Nicolas Hidalgo, Avenida Universidad 100, Villa Universidad, 58060 Morelia, Michoacan, Mexico) ,  Perez-Centeno A (Departamento de Fisica, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingenierias, Universidad de Guadalajara, Boulevard Marcelino Garcia Barragan 1421, Guadalajara, Jalisco, C P 44430, Mexico) ,  Camps E (Departamento de Fisica, Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares, Apdo. Postal 18-1027, Mexico DF 11801, Mexico) ,  Santana-Aranda M A (Departamento de Fisica, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingenierias, Universidad de Guadalajara, Boulevard Marcelino Garcia Barragan 1421, Guadalajara, Jalisco, C P 44430, Mexico) ,  Gomez-Rosas G (Departamento de Fisica, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingenierias, Universidad de Guadalajara, Boulevard Marcelino Garcia Barragan 1421, Guadalajara, Jalisco, C P 44430, Mexico) ,  de Moure-Flores F (Facultad de Quimica, Materiales, Universidad Autonoma de Queretaro, Queretaro C P 76010, Mexico) ,  Chavez-Chavez A (Departamento de Fisica, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingenierias, Universidad de Guadalajara, Boulevard Marcelino Garcia Barragan 1421, Guadalajara, Jalisco, C P 44430, Mexico) ,  Quinones-Galvan J G (Departamento de Fisica, Centro Universitario de Ciencias Exactas e Ingenierias, Universidad de Guadalajara, Boulevard Marcelino Garcia Barragan 1421, Guadalajara, Jalisco, C P 44430, Mexico)
資料名： Materials Research Express  (Materials Research Express)
巻： 7  号： 1  ページ： 015905 (9pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5570A  ISSN： 2053-1591  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdTe:Sn薄膜を室温でガラス基板上にパルスレーザ蒸着により成長させた。Langmuir平面プローブ測定から計算したSnイオンの密度の関数としての膜の化学的,構造的及び光学的性質の変化の研究を示した。真空中でCdTeとSnターゲットの同時アブレーションにより4つの膜を成長させた。Snイオン密度はSnターゲット上のフルエンスを変えることにより変化させたが,CdTeプラズマ密度は全ての堆積物に対して一定に保たれた。1つのCdTe膜をCdTe:Sn膜と同じ実験条件を用いて対照試料として成長させた。化学組成をXPSにより分析し,Snイオンプラズマ密度に対するCdTe格子へのSn取り込みの依存性を実証した。XRDによる結晶構造解析は全ての膜に対して六方晶系構造を示した。CdTeとSnプラズマを組み合わせると,得られた膜の面(110)に優先配向が観察された。さらに,Snプラズマ密度が増加すると,(110)ピークの強度は同様に増加し,結晶再配向がCdTe格子に組み込まれたSnの効果であることを示唆した。Raman分光法により振動挙動を解析した。振動モードは118cm-1に現れ,Sn-Te振動に関係し,CdTe格子への置換Snの取り込みを示唆した。Sn-Te結合は,SnTe中のSn2+に対応する485と494eVに中心を持つ信号の出現によりXPSにより確認された。薄膜の厚さ値は,Snイオン密度とともに320~460nm増加した。紫外可視分光法を用いて計算したバンドギャップは1.42から1.46eVの範囲の値をもたらした。PL測定は,Snプラズマ密度が増加するにつれて,近エッジ発光のわずかな青方偏移を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  *テルル化カドミウム ,  プラズマ ,  *レーザアブレーション ,  Raman分光法 ,  薄膜成長 ,  X線回折 ,  イオン ,  バンドギャップ ,  化学組成 ,  六方晶系 ,  優先配向 ,  フルエンス ,  発光 ,  *スズ ,  結晶

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： CdTe ,  Sn ,  ターゲット ,  レーザアブレーション ,  堆積 ,  薄膜