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J-GLOBAL ID：202002293343085137   整理番号：20A1579959

AgInS_2ナノ粒子における配位子誘起ルミネセンス変換:欠陥発光からバンド端発光まで【JST・京大機械翻訳】

Ligand-Induced Luminescence Transformation in AgInS₂ Nanoparticles: From Defect Emission to Band-Edge Emission

著者 (3件)： Hirase Akemitsu (Department of Physical Science and Engineering, Nagoya Institute of Technology, Japan) ,  Hamanaka Yasushi (Department of Physical Science and Engineering, Nagoya Institute of Technology, Japan) ,  Kuzuya Toshihiro (College of Design and Manufacturing Technology, Muroran Institute of Technology, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 11  号： 10  ページ： 3969-3974  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： I-III-VI_2半導体ナノ粒子は,高蛍光性CdSeナノ粒子を置換する非毒性元素からなる蛍光材料の強い候補である。I-III-VI_2ナノ粒子の光ルミネセンスは,広いスペクトル特徴によって特徴付けられた欠陥発光により本質的に生じる。バンド端発光は,高い単色性をもつ放射を示し,それは,その適用範囲を劇的に広げることができる。したがって,バンドエッジ発光を実現するために多くの研究が実施された。表面トラップサイト不動態化により,AgInS_2ナノ粒子の周りにGaS_xまたはInS_xシェルを作製するときのみ,バンド端発光の成功した観察を報告した。本研究は,トリオクチルホスフィン(TOP)の有機配位子を用いたAgInS_2ナノ粒子からのバンド端発光を提供するより容易な方法を実証した。AgInS_2ナノ粒子周囲のTOP配位子形成と共に,欠陥発光は,バンドエッジ発光の出現と共に,一度増加し,次に減少した。したがって,TOP配位子は,蛍光消光部位と同様に放射再結合のためのキャリア捕獲部位を不動態化する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 蛍光体 ,  *発光 ,  光ルミネセンス ,  *ルミネセンス ,  不動態化 ,  セレン化カドミウム ,  キャリア捕獲 ,  *ナノ粒子
準シソーラス用語： 蛍光消光 ,  蛍光特性 ,  *バンド端発光 ,  有機配位子 ,  半導体ナノ粒子 ,  放射再結合 ,  *バンド端 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノ粒子 ,  配位子 ,  誘起 ,  ルミネセンス ,  欠陥 ,  バンド端発光