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J-GLOBAL ID：202002293394352574   整理番号：20A0819292

Schottky障壁ソース/ドレイン二重ゲートオールアラウンド(DGAA)MOSFETのサブしきい値電流とサブスレッショルドスイングの解析モデリング【JST・京大機械翻訳】

Analytical Modeling of Subthreshold Current and Subthreshold Swing of Schottky-Barrier Source/Drain Double Gate-All-Around (DGAA) MOSFETs

著者 (3件)： Kumar Arun (Indian Institute of Technology Patna) ,  Srinivas P. S. T. N. (Indian Institute of Technology Patna) ,  Tiwari Pramod Kumar (Indian Institute of Technology Patna)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： iSES  ページ： 355-359  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Schottky障壁ソース/ドレイン(S/D)二重ゲート-オール-アラウンド(DGAA)MOSFETに対するサブ閾値電流とサブ閾値スイングの解析モデルを報告した。この研究で示されたサブ閾値電流モデルは,Schottky障壁S/D DGAA MOSFET動作のサブ閾値領域で支配的な電流の量子力学的トンネリング成分と同様に熱電子輸送の両方を考慮することによって定式化される。提案したサブ閾値電流モデルは,Schottky障壁S/D DGAA MOSFETで見出された正孔と電子トンネリング機構の両方により両極性挙動を示した。Schottky障壁S/D DGAA MOSFETのサブ閾値特性に及ぼすチャネル厚さとドレイン電圧のようなデバイスの物理的パラメータとバイアス条件の変化の影響を議論した。提案したモデルから得た結果を,3Dデバイスシミュレータから得た結果に対して検証した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トンネル効果 ,  *電流 ,  バイアス ,  *MOSFET ,  正孔 ,  定式化 ,  解析モデル ,  三次元 ,  *Schottky障壁 ,  チャネル
準シソーラス用語： デバイスシミュレータ ,  電子輸送 ,  *二重ゲート ,  *サブ閾値スイング ,  *ゲートオールアラウンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (10件)： Schottky障壁 ,  ソース ,  ドレイン ,  ゲートオールアラウンド ,  MOSFET ,  サブ ,  しきい値電流 ,  サブスレッショルドスイング ,  解析 ,  モデリング