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J-GLOBAL ID：202002296471465268   整理番号：20A0878881

吸収媒質中に埋め込まれた荷電球による散乱【JST・京大機械翻訳】

Scattering by a charged sphere embedded in an absorbing medium

著者 (5件)： Zhang Shangyu (School of Energy Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Zhang Wenjie (School of Energy and Power Engineering, Shandong University, Jinan 250061, China) ,  Liu Linhua (School of Energy Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Liu Linhua (School of Energy and Power Engineering, Shandong University, Jinan 250061, China) ,  Liu Linhua (Optics & Thermal Radiation Research Center, Shandong University, Qingdao 266237, China)
資料名： Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer  (Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiative Transfer)
巻： 246  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0072A  ISSN： 0022-4073  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 荷電球の吸収ホスト媒質と表面伝導率は,電磁散乱に影響を及ぼす2つの新しい因子であり,球の光学的性質を調整する役割を果たす。本論文では,吸収ホスト媒質に埋め込まれた荷電球による光散乱の一般的な事例を研究した。吸収ホスト媒質と荷電球に適用する二つの確立したLorentz-Mie理論を組み合わせて,遠方場消光効率因子と電場振幅を計算した。著者らの結果は,消光効率因子の干渉振動に及ぼすホスト媒体の吸収増加の増幅効果が,増加する表面伝導率の減衰効果と反対であることを示した。電場振幅に関して,ホスト媒質の吸収の増加は,前方散乱場と対照的に後方散乱場を増強した。しかし,表面伝導率の増加は,場分布のパターンと場の大きさに対するサイズパラメータ依存変化を誘起する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 遠方場 ,  消光 ,  断面積 ,  光散乱 ,  干渉 ,  電磁波散乱 ,  後方散乱 ,  近接場 ,  光学的性質 ,  電場 ,  *電荷 ,  前方散乱 ,  *媒質
準シソーラス用語： Mie理論 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 吸収ホスト媒体 ,  荷電球 ,  Lorentz-Mie理論 ,  絶滅断面積 ,  近接場強度 ,  光散乱

分類 (2件)： 放射伝達,放射変調  (BD03080P) ,  光の散乱,回折,干渉  (BD03030M)

タイトルに関連する用語 (3件)： 吸収媒質 ,  荷電 ,  散乱