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J-GLOBAL ID：202002298023690842   整理番号：20A0527764

ホウ素置換LiGaO_2半導体材料に関するXAFS研究【JST・京大機械翻訳】

XAFS study on the boron substituted LiGaO₂ semiconductor material

著者 (4件)： Gundogmus Hakan (Hakkari University, Faculty of Engineering, 30000 Hakkari, Turkey) ,  Gunaydin Selen (Tarsus University, Faculty of Technology, Energy Systems Engineering, 33400 Tarsus, Turkey) ,  Klysubun Wantana (Synchrotron Light Research Institute (Public Organization), P.O. Box 93, Nakhon Ratchasima 30000, Thailand) ,  Ozkendir Osman Murat (Tarsus University, Faculty of Technology, Energy Systems Engineering, 33400 Tarsus, Turkey)
資料名： Solid State Ionics  (Solid State Ionics)
巻： 346  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0096B  ISSN： 0167-2738  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウムサイトでホウ素原子が置換されたLiGa_1-XB_xO_2(LGO)材料の電子的および結晶構造特性についてXAFS研究を行った。X線粉末回折(XRD)パターンにより研究を行い,拡張XAFSデータにより支持した。置換された材料に関する解析は,バルク全体における結晶対称性を保存するホウ素サイトにおける興味ある機構を明らかにした。ホウ素原子は非等価イオン半径によりGaサイトには存在せず,親LGOの同じ結晶構造と空間群を持つ結晶LiB_3O_5を形成することを決定した。ガリウム原子の近傍にホウ素原子が存在すると,主エッジスペクトルの小さなシフトはガリウム原子の酸化の変化から生じた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *XAFS ,  X線回折 ,  電子構造 ,  *ホウ素 ,  吸光分光分析 ,  リチウム ,  ガリウム ,  空間群 ,  *半導体 ,  *半導体材料 ,  結晶 ,  結晶構造 ,  イオン半径
準シソーラス用語： 結晶対称性 ,  粉末X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 半導体 ,  ガリウム酸リチウム ,  吸収分光法 ,  電子構造

分類 (2件)： 二次電池  (YB04030K) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホウ素 ,  置換 ,  半導体材料 ,  XAFS ,  研究