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J-GLOBAL ID:202002298623121482   整理番号:20A0420240

LiNbO_3薄膜成長のためのSiO_2バッファ層の形成【JST・京大機械翻訳】

Formation of SiO2 buffer layer for LiNbO3 thin films growth
著者 (10件):
資料名:
巻: 1410  号:ページ: 012042 (5pp)  発行年: 2019年 
JST資料番号: W5565A  ISSN: 1742-6588  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文は,パルスレーザ蒸着によって形成されたナノ結晶LiNbO_3膜の形態パラメータに及ぼすSiO_2バッファ層厚の影響の研究の結果を示した。SiO_2バッファ層の厚さが10nmから50nmに増加すると,LiNbO_3膜の粗さは5.1nmから4.4nmに減少した。粒径(118nm)の最小値は50nmに等しいバッファ層の厚さに対応する。得られた結果は,表面音響波の様々な効果を用いたセンサの高感度素子と同様に,集積音響光学と圧電素子の設計と製造に使用できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性 
タイトルに関連する用語 (2件):
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