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J-GLOBAL ID：202002298716408498   整理番号：20A1955332

400°Cから1200°C,169ppm/°CナノアンペアCMOS電流基準【JST・京大機械翻訳】

A -40 °C to 120 °C, 169 ppm/°C Nano-Ampere CMOS Current Reference

著者 (5件)： Huang Qiwei (School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  Zhan Chenchang (School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  Wang Lidan (School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  Li Zhiqun (Institute of RF- and OE-ICs, Southeast University, Nanjing, China) ,  Pan Quan (School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, China)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 67  号： 9  ページ： 1494-1498  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この短報は,-40°Cから120°Cまでの広い温度範囲での低電力応用のためのナノアンペアCMOS電流基準(CCR)を示した。電流基準は,単純な方法で温度に依存しない電圧と抵抗の分割によって発生する。サブ閾値領域で動作する異なるチャネル長を有する2つの同じ型NMOSトランジスタ間の閾値電圧差に基づいて,低温独立電圧を生成し,一方,温度独立抵抗を2つのポリ抵抗器によって構成し,その温度係数は逆であった。小さな抵抗を可能にする低電圧を設計することによって,CCR回路は,ナノアンペア電流を生成する間,小さなチップ面積を取る。提案したCCR回路を標準0.18μmCMOSプロセスで実装し,その活性面積は0.054mm2であった。測定した10試料の中で,平均出力電流は11.6nAであり,平均温度係数は169ppm/°Cであった。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  電圧 ,  *電流 ,  トランジスタ ,  抵抗器 ,  電力応用 ,  NMOS構造 ,  温度係数 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  サブ閾値 ,  チャネル長 ,  閾値電圧 ,  低電圧 ,  チップ面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 信号理論  (ND02020G) ,  パターン認識  (JE07000S) ,  人工知能  (JE08000Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： アンペア ,  CMOS