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J-GLOBAL ID:202002298756964240   整理番号:20A0901304

0.18μm CMOS技術によるKバンドVCOの位相雑音低減のための発振器フィードバックにおける多共振欠陥接地構造共振器の利用【JST・京大機械翻訳】

Utilization of Multi-Resonant Defected Ground Structure Resonators in the Oscillator Feedback for Phase Noise Reduction of K-Band VCOs in 0.18- $¥mu$ m CMOS Technology
著者 (4件):
資料名:
巻: 67  号:ページ: 1115-1125  発行年: 2020年 
JST資料番号: C0226B  ISSN: 1549-8328  CODEN: ITCSCH  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,LCタンク回路の並列共振の周りに1個以上の伝送極を導入することにより,混合金属酸化物半導体(CMOS)プロセスにおけるK帯電圧制御発振器(VCO)の位相雑音を低減する新しい理論を提案した。LCタンク回路の並列共振以外の伝送極の導入は,共振器の散乱(|S|)パラメータのスカート特性を鋭くする。リターンにおいて,鋭い|S|パラメータ勾配は,無負荷Q値を損なうことなく,共振器負荷品質(Q)因子を強化した。さらに,伝送極は発振の第二高調波付近で実現できる。この伝送極の配置は,この第二高調波の相殺と位相雑音の更なる低減をもたらす。提案した理論を,欠陥構造(DGS)共振器に基づく3つの異なる設計により検証した。これらの設計により,並列共振前の低帯域伝送極,並列共振後の高帯域伝送極,および並列共振周辺の二重帯域伝送極を実現した。最初に,各設計を検証し,Q因子改善を確立するために回路と電磁シミュレーションを用いて他のものと比較した。次に,各共振器を差動VCOトポロジーに利用し,レイアウト後シミュレーションにおける位相雑音低減を確認した。最後に,0.18μm CMOS技術で2チップを製作し,測定した。測定結果はシミュレーションと良く一致し,提案した理論に関する著者らの主張を確認した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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発振回路 

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