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J-GLOBAL ID：202002298795052992   整理番号：20A2470109

InBナノドットV-ZnS半導体固溶体のバルクおよび表面特性の比較【JST・京大機械翻訳】

Comparison of the Bulk and Surface Properties of InB^V-ZnS Semiconductor Solid Solutions

著者 (5件)： Kirovskaya I. A. (Omsk State Technical University, Omsk, Russia) ,  Ekkert R. V. (Omsk State Technical University, Omsk, Russia) ,  Umansky I. Yu. (Omsk State Technical University, Omsk, Russia) ,  Ekkert A. O. (Omsk State Technical University, Omsk, Russia) ,  Kropotin O. V. (Omsk State Technical University, Omsk, Russia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 54  号： 11  ページ： 1459-1466  発行年： 2020年 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるAIII-BV(InPおよびInAs)二元成分を有するInBV-ZnS半導体固溶体のバルク(結晶-化学的および構造的)および表面(酸塩基)特性を同一条件下で調べた。InP-ZnS系に対して一般的に統計的(平滑)であり,InAs-ZnS系に対して極値を持つ組成を有する調べた性質の変化の規則性を確立した。系の二成分の表面として,固溶体の初期(空気曝露)表面は弱酸性(pH_iso<7)であり,主なガスに関して高い活性状態を可能にする。活性(酸塩基)部位の性質に関する考察を示し,確認した。固溶体の表面とバルク特性の間の相互関係を確立し,それは,表面特性の時間のかかる研究なしで,半導体-ガス分析のための先進高効率材料の予測と安価な探索のための機会を提供する。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *固溶体 ,  *半導体 ,  表面性状 ,  ガス分析 ,  ヒ化インジウム ,  *硫化亜鉛 ,  規則度 ,  リン化インジウム
準シソーラス用語： 高効率 ,  *ナノドット ,  低価格 ,  弱酸 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 半導体 ,  固溶体 ,  先端材料 ,  バルクおよび表面特性 ,  相互関連規則性 ,  半導体ガス分析

分類 (3件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノドット ,  ZnS ,  固溶体 ,  バルク ,  表面特性