特許
J-GLOBAL ID：202003000548891330

レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者：
吉井 靖博

吉井 靖博 について

, 
堀 洋一

堀 洋一 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  松本 将尚 ,  宮本 龍 ,  飯田 雅人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-219733
公開番号（公開出願番号）：特開2020-086105
出願日： 2018年11月22日
公開日（公表日）： 2020年06月04日
要約：
【課題】ラフネス低減等のリソグラフィー特性の向上が図れ、かつ、良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、少なくとも1個のカルボキシ基を有する有機酸と、を含有し、前記酸発生剤成分(B)は、下記一般式(b1)で表される化合物(B1)を含む、レジスト組成物。式中、R2011〜R2031は、アリール基、アルキル基、又はアルケニル基である。ただし、R2011〜R2031は、全体で、フッ素原子を含む置換基を4個以上有する。Xn-は、n価のアニオンであり、nは1以上の整数である。[化1]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、 酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、 露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、 少なくとも1個のカルボキシ基を有する有機酸と、を含有し、 前記酸発生剤成分(B)は、下記一般式(b1)で表される化合物(B1)を含む、レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C09K 3/00 ,  G03F 7/20
FI (5件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C09K3/00 K ,  G03F7/20 501
Fターム (31件)：
2H197AA12 ,  2H197AA24 ,  2H197BA17 ,  2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197CA09 ,  2H197CA10 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197DB06 ,  2H197GA01 ,  2H197HA03 ,  2H197HA05 ,  2H197JA21 ,  2H197JA22 ,  2H225AF23P ,  2H225AF24P ,  2H225AF54P ,  2H225AF67P ,  2H225AF71P ,  2H225AH19 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ48 ,  2H225AN02P ,  2H225AN21P ,  2H225AN38P ,  2H225AN39P ,  2H225BA01P ,  2H225BA26P ,  2H225CA12 ,  2H225CB18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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