特許
J-GLOBAL ID：202003000592488454
トランスデューサ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-161883
公開番号（公開出願番号）：特開2018-032896
特許番号：特許第6736829号
出願日： 2016年08月22日
公開日（公表日）： 2018年03月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 外部と内部を繋ぐための開口を有する第1の基板と、キャビティを有する第2の基板とを備え、前記開口と前記キャビティとの間に固定電極および可動電極を有する変換部を配置して、前記第1の基板と前記第2の基板を接合してなるトランスデューサ装置において、
前記第1の基板および前記第2の基板をシリコンとし、前記第1の基板または前記第2の基板のいずれか一方に、前記変換部を搭載し、電気的な接続を形成するフリップチップ接続部と、前記変換部の支持体と該変換部を搭載した前記第1の基板との間または前記変換部の支持体と該変換部を搭載した前記第2の基板との間に前記開口と前記キャビティ間とを前記フリップチップ接続を介して連通する領域を塞ぐ音漏れ防止用接合部とを備えることを特徴とするトランスデューサ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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