特許

J-GLOBAL ID：202003000687809843

接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法、セラミックス基板、接合体、及び、絶縁回路基板

発明者： 寺▲崎▼ 伸幸
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (4件)： 松沼 泰史 ,  寺本 光生 ,  細川 文広 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-231927
公開番号（公開出願番号）：特開2020-096054
出願日： 2018年12月11日
公開日（公表日）： 2020年06月18日
要約：

【課題】低温・短時間の接合条件であっても、金属部材と窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス部材とを確実に接合することができ、冷熱サイクル信頼性に優れた接合体の製造方法を提供する。【解決手段】金属部材と、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが接合されてなる接合体の製造方法であって、前記セラミックス部材の表面酸素濃度を25原子%以上50原子%以下の範囲内とする表面酸素濃度調整工程S01と、表面酸素濃度が25原子%以上50原子%以下の範囲内とされた前記セラミックス部材の表面に前記金属部材を接合する接合工程S03と、を有し、表面酸素濃度調整工程S01は、前記セラミックス部材の表面を酸化させる酸化処理工程S11と、処理液によって前記セラミックス部材の表面を溶解するエッチング処理工程S12と、を備えており、前記セラミックス部材の表面に非晶質酸化物層を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

金属部材と、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが接合されてなる接合体の製造方法であって、 前記セラミックス部材の表面酸素濃度を25原子%以上50原子%以下の範囲内とする表面酸素濃度調整工程と、 表面酸素濃度が25原子%以上50原子%以下の範囲内とされた前記セラミックス部材の表面に前記金属部材を接合する接合工程と、を有し、 前記表面酸素濃度調整工程は、前記セラミックス部材の表面を酸化させる酸化処理工程と、処理液によって前記セラミックス部材の表面を溶解するエッチング処理工程と、を備えており、前記セラミックス部材の表面に非晶質酸化物層を形成することを特徴とする接合体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/13 ,  H01L 23/36 ,  C04B 37/02 ,  H05K 1/03

FI (6件)：

H01L23/12 C ,  H01L23/36 C ,  C04B37/02 B ,  H05K1/03 610E ,  H05K1/03 630G ,  H01L23/36 Z

Fターム (13件)：

4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB22 ,  4G026BB27 ,  4G026BC01 ,  4G026BD08 ,  4G026BF17 ,  4G026BF20 ,  4G026BF24 ,  5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-023412   出願人：出光興産株式会社