半導体への適用において超臨界流体を使用する方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-560179
公開番号（公開出願番号）：特表2020-519023
出願日： 2018年03月26日
公開日（公表日）： 2020年06月25日
要約：

基板を処理する方法および装置が提供される。二酸化炭素液体の供給流が、材料供給部から浄化容器へと圧力下で供給される。浄化容器内の二酸化炭素液体が蒸留されて、一段階の蒸留プロセスで、浄化された二酸化炭素ガスが形成される。処理方法には、冷却システムからの冷媒との熱交換によって、浄化された二酸化炭素ガスをコンデンサ内で凝縮させて、浄化された二酸化炭素液体を形成することが含まれる。浄化された二酸化炭素液体は、臨界点を上回るターゲット温度まで加熱されて、浄化された二酸化炭素液体が超臨界二酸化炭素流体に変えられる。処理方法には、処理チャンバ内に配置された基板を清浄にするために、超臨界二酸化炭素流体を使用することが含まれる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板を処理する方法であって、二酸化炭素液体の材料供給部を用意することと、前記材料供給部から浄化システムの浄化容器へと、前記二酸化炭素液体の供給流を圧力下で供給することと、前記浄化容器内の蒸留用ヒータにより、前記浄化容器内の前記二酸化炭素液体に熱を供給することと、前記浄化容器内の前記二酸化炭素液体を蒸留して、一段階の蒸留プロセスで、浄化された二酸化炭素ガスを形成することと、蒸留流体ラインを通じて、前記浄化容器から浄化システムのコンデンサへと、前記浄化された二酸化炭素ガスを供給することと、冷却システムからの冷媒との熱交換によって、前記浄化された二酸化炭素ガスを前記浄化システムのコンデンサ内で凝縮させて、浄化された二酸化炭素液体を形成することと、前記浄化された二酸化炭素液体を臨界点を上回るターゲット温度まで加熱して、前記浄化された二酸化炭素液体を超臨界二酸化炭素流体に変えることと、処理チャンバ内に配置された基板を清浄にするために、前記超臨界二酸化炭素流体を使用することを含む、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 , F25J 3/02 , B01J 3/00

FI (3件)：

H01L21/304 651Z , F25J3/02 Z , B01J3/00 A

Fターム (27件)：

4D047AA05 , 4D047AB00 , 4D047CA11 , 4D047DA04 , 5F157AB12 , 5F157AB90 , 5F157BB03 , 5F157BB08 , 5F157BB22 , 5F157BB66 , 5F157BB74 , 5F157BC34 , 5F157BC41 , 5F157CA03 , 5F157CA24 , 5F157CD32 , 5F157CE38 , 5F157CF04 , 5F157CF14 , 5F157CF22 , 5F157CF34 , 5F157CF38 , 5F157CF60 , 5F157CF74 , 5F157CF90 , 5F157CF96 , 5F157CF99

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