特許
J-GLOBAL ID：202003001444632968
炭化珪素半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-538525
特許番号：特許第6741010号
出願日： 2016年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型を有しかつ炭化珪素からなる基板と、
前記基板の上に設けられ、前記第1導電型を有しかつ炭化珪素からなるドリフト層と、
前記ドリフト層の上に設けられ、中央と前記中央の両側とに分離し、第2導電型を有しかつ炭化珪素からなる第1ベース領域と、
分離した前記第1ベース領域の間を埋め、前記第1導電型を有しかつ炭化珪素からなる電流拡散層と、
前記第1ベース領域と前記電流拡散層との上に設けられ、前記第1導電型を有しかつ炭化珪素からなるトレンチ電流拡散層と、
前記トレンチ電流拡散層の両側に設けられ、前記第2導電型を有しかつ炭化珪素からなる第2ベース領域と、
前記トレンチ電流拡散層と前記第2ベース領域との上に設けられ、前記第2導電型を有しかつ炭化珪素からなるボディー領域と、
前記ボディー領域の上に設けられ、前記第1導電型を有しかつ炭化珪素からなるソース領域と、
前記第2導電型を有しかつ炭化珪素からなるコンタクト領域と、
前記ソース領域の表面から、前記ソース領域と前記ボディー領域を貫通し前記トレンチ電流拡散層に達するように設けられたトレンチと、
前記トレンチの内壁面と前記ソース領域の一部を覆うように設けられたゲート絶縁酸化膜と、
前記トレンチ内に設けられたゲート電極と、
前記ソース領域および前記コンタクト領域の一部を覆い前記ボディー領域に電気的に接続されたソース電極と、
前記基板の裏面側に設けられたドレイン電極を備え、
前記トレンチの底面は、前記第1ベース領域の中央部と垂直方向に離間して重なり合って、かつ、前記中央部の水平方向の幅は、前記トレンチの前記底面の幅よりも大きく、
前記トレンチの底面と前記中央部とは、前記垂直方向に0.05μm以上0.5μm以下離間している、炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/06 301 G
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/78 652 F
, H01L 29/78 652 H
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 653 C
