特許

J-GLOBAL ID：202003001585492949

半導体装置および電子部品

発明者： 岡本 佑樹 ,  黒川 義元 ,  楠本 直人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：IB2018054405
公開番号（公開出願番号）：WO2019-003037
出願日： 2018年06月15日
公開日（公表日）： 2019年01月03日
要約：

センサ素子が検知した信号を保持することのできる半導体装置を提供する。センサ素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、センサ素子の一方の電極は第1のゲートと電気的に接続され、第1のゲートは第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、半導体層は金属酸化物を有する構成とする。

請求項（抜粋）：

センサ素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、 前記センサ素子は一対の電極を有し、 前記第1のトランジスタは、第1のゲートと、前記第1のゲートと半導体層を介して対向する第2のゲートと、を有し、 前記センサ素子の一方の電極は前記第1のゲートと電気的に接続され、 前記第1のゲートは前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記半導体層は金属酸化物を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H04N 5/369 ,  H04N 5/378 ,  H04N 5/374 ,  H01L 27/146

FI (4件)：

H04N5/369 ,  H04N5/378 ,  H04N5/374 ,  H01L27/146 E

Fターム (33件)：

4M118AA04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA07 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB01 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118CB07 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118DB09 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GD03 ,  4M118HA02 ,  4M118HA23 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25 ,  4M118HA26 ,  4M118HA27 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  5C024CY42 ,  5C024EX15 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024HX23 ,  5C024HX32