窒化物半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-049981
公開番号（公開出願番号）：特開2020-155470
出願日： 2019年03月18日
公開日（公表日）： 2020年09月24日
要約：

【課題】窒化物半導体においてp型領域を形成するための技術を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、窒化物半導体基板の一部にn型不純物を第1濃度で含んだn型領域を形成する工程を備える。窒化物半導体基板の露出面からn型領域以外の領域にp型不純物を導入する不純物導入工程を備える。特定領域に含まれるn型不純物の濃度は第1濃度よりも低い。特定領域はn型領域に接している。n型領域中のn型不純物を拡散させずにp型不純物を選択的に特定領域内に熱拡散させる拡散工程を備える。拡散工程では、n型領域と特定領域との境界面でp型不純物の拡散を停止させることでp型不純物をn型領域の内部へ拡散させない。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板の一部にn型不純物を第1濃度で含んだn型領域を形成する工程と、前記窒化物半導体基板の露出面から前記n型領域以外の特定領域にp型不純物を導入する不純物導入工程であって、前記特定領域に含まれるn型不純物の濃度は前記第1濃度よりも低く、前記特定領域は前記n型領域に接している、前記不純物導入工程と、前記n型領域中のn型不純物を拡散させずに前記p型不純物を選択的に前記特定領域内に熱拡散させる拡散工程と、を備え、前記拡散工程では、前記n型領域と前記特定領域との境界面で前記p型不純物の拡散を停止させることで前記p型不純物を前記n型領域の内部へ拡散させない、窒化物半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/223 , H01L 21/225 , H01L 29/12 , H01L 29/20

FI (10件)：

H01L29/78 658A , H01L21/265 601A , H01L21/265 601Z , H01L21/223 C , H01L21/225 C , H01L21/225 N , H01L21/265 F , H01L29/78 652T , H01L29/20 , H01L29/78 658E

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置と半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-012325 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-240831 出願人：住友電気工業株式会社
p型III族窒化物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-150327 出願人：株式会社豊田中央研究所

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