特許
J-GLOBAL ID：202003001586073940
窒化物半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-049981
公開番号（公開出願番号）：特開2020-155470
出願日： 2019年03月18日
公開日（公表日）： 2020年09月24日
要約：
【課題】窒化物半導体においてp型領域を形成するための技術を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、窒化物半導体基板の一部にn型不純物を第1濃度で含んだn型領域を形成する工程を備える。窒化物半導体基板の露出面からn型領域以外の領域にp型不純物を導入する不純物導入工程を備える。特定領域に含まれるn型不純物の濃度は第1濃度よりも低い。特定領域はn型領域に接している。n型領域中のn型不純物を拡散させずにp型不純物を選択的に特定領域内に熱拡散させる拡散工程を備える。拡散工程では、n型領域と特定領域との境界面でp型不純物の拡散を停止させることでp型不純物をn型領域の内部へ拡散させない。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板の一部にn型不純物を第1濃度で含んだn型領域を形成する工程と、
前記窒化物半導体基板の露出面から前記n型領域以外の特定領域にp型不純物を導入する不純物導入工程であって、
前記特定領域に含まれるn型不純物の濃度は前記第1濃度よりも低く、前記特定領域は前記n型領域に接している、前記不純物導入工程と、
前記n型領域中のn型不純物を拡散させずに前記p型不純物を選択的に前記特定領域内に熱拡散させる拡散工程と、
を備え、
前記拡散工程では、前記n型領域と前記特定領域との境界面で前記p型不純物の拡散を停止させることで前記p型不純物を前記n型領域の内部へ拡散させない、窒化物半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 21/265
, H01L 21/223
, H01L 21/225
, H01L 29/12
, H01L 29/20
H01L29/78 658A
, H01L21/265 601A
, H01L21/265 601Z
, H01L21/223 C
, H01L21/225 C
, H01L21/225 N
, H01L21/265 F
, H01L29/78 652T
, H01L29/20
, H01L29/78 658E
