特許
J-GLOBAL ID：202003001638980517

反射側壁を有する発光デバイス

発明者：
ルー,ダウェイ

ルー,ダウェイ について

, 
シェキン,オレク

シェキン,オレク について


出願人/特許権者：
ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー

ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-561960
公開番号（公開出願番号）：特表2020-520111
出願日： 2018年05月08日
公開日（公表日）： 2020年07月02日
要約：
本発明の実施形態は、半導体構造を含んだ半導体発光デバイスを含む。半導体構造は、n型領域とp型領域との間に配置された発光層を含んでいる。発光層によって放たれた光の経路内に波長変換構造が配置される。半導体発光デバイス及び波長変換構造の側壁に沿って拡散リフレクタが配置される。拡散リフレクタは顔料を含んでいる。拡散リフレクタと半導体構造との間に反射層が配置される。反射層は、拡散リフレクタとは異なる材料である。
請求項（抜粋）：
n型領域とp型領域との間に配置された発光層を有した半導体構造を有する半導体発光デバイスと、 前記発光層の上に配置された波長変換構造と、 前記半導体発光デバイス及び前記波長変換構造の側壁に沿って配置された遮光構造であり、顔料を含む遮光構造と、 前記遮光構造と前記半導体構造との間に配置された反射層であり、当該反射層は、交互にされた第1及び第2の絶縁層を含み、前記第1の絶縁層は、前記第2の絶縁層とは異なる屈折率を持つ、反射層と、 を有するデバイス。
IPC (2件)：
H01L 33/60 ,  H01L 33/50
FI (2件)：
H01L33/60 ,  H01L33/50
Fターム (17件)：
5F142AA01 ,  5F142CA11 ,  5F142CE04 ,  5F142CE13 ,  5F142CE15 ,  5F142CE16 ,  5F142CE18 ,  5F142CE32 ,  5F142DA14 ,  5F142DA22 ,  5F142DA23 ,  5F142DA35 ,  5F142DA36 ,  5F142DA72 ,  5F142DA73 ,  5F142DB16 ,  5F142FA46
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 発光装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-072919   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-151763   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 白色反射材
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-005411   出願人：株式会社朝日ラバー
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM