特許

J-GLOBAL ID：202003001784197212

固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器

発明者： 田中 晴美
出願人/特許権者： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-226788
公開番号（公開出願番号）：特開2020-092126
出願日： 2018年12月03日
公開日（公表日）： 2020年06月11日
要約：

【課題】光電変換素子における飽和電荷量Qsを向上させることができる固体撮像素子および電子機器を提案する。【解決手段】本開示にかかる固体撮像素子は、光入射面を有する半導体の基台と、前記基台の厚さ方向に沿って配置される複数の遮光構造物と、前記光入射面および前記遮光構造物に囲まれた領域に配置される第1の導電型を有する光電変換素子と、通常より不純物濃度が高く、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型の層と、を備え、前記第2の導電型の層は、前記光入射面および前記遮光構造物の前記光電変換素子側に、前記光入射面および前記遮光構造物に沿って連続的に配置される。【選択図】図1-1

請求項（抜粋）：

光入射面を有する半導体の基台と、 前記基台の厚さ方向に沿って配置される複数の遮光構造物と、 前記光入射面および前記遮光構造物に囲まれた領域に配置される第1の導電型を有する光電変換素子と、 通常より不純物濃度が高く、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型の層と、を備え、 前記第2の導電型の層は、 前記光入射面および前記遮光構造物の前記光電変換素子側に、前記光入射面および前記遮光構造物に沿って連続的に配置される、 固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/369 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L27/146 A ,  H04N5/369 ,  H01L31/10 A

Fターム (49件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA19 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GB02 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5F849AA02 ,  5F849AB03 ,  5F849AB17 ,  5F849BA05 ,  5F849BA16 ,  5F849BB03 ,  5F849CB05 ,  5F849CB09 ,  5F849CB10 ,  5F849CB14 ,  5F849DA01 ,  5F849DA44 ,  5F849EA04 ,  5F849EA07 ,  5F849EA11 ,  5F849EA12 ,  5F849EA13 ,  5F849GA05 ,  5F849HA05 ,  5F849HA10 ,  5F849JA12 ,  5F849LA02 ,  5F849XB03 ,  5F849XB15 ,  5F849XB24 ,  5F849XB36

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-179073   出願人：ソニー株式会社