特許
J-GLOBAL ID：202003001855598280
シリコン系溶融組成物およびこれを用いたSiC単結晶の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-556234
特許番号：特許第6725096号
出願日： 2016年10月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン、炭素、および下記式(1)で定義される溶解度パラメータ(Csisol)に対して-0.37より小さい値を有する金属を含み、
溶液法によってSiC単結晶を形成するためのシリコン系溶融組成物:
Csisol=A-B+μ1-μ2 式(1)
式中、Aは、金属原子および炭素原子を含むシリコン結晶格子において、金属原子、炭素原子、およびシリコン原子を含む第1評価格子が有する第1エネルギー(A)であり、Bは、金属原子を含むシリコン結晶格子において、金属原子およびシリコン原子を含む第2評価格子が有する第2エネルギー(B)であり、μ1は、ダイヤモンド結晶構造のシリコンの総エネルギーを単位格子内に存在するシリコン原子数で割った化学ポテンシャルであって-5.422の定数であり、μ2は、ダイヤモンド結晶構造の炭素の総エネルギーを単位格子内に存在する炭素原子数で割った化学ポテンシャルであって-9.097の定数であり、
前記金属は、アルミニウム(Al)、およびスカンジウム(Sc)を含み、銅(Cu)を含まない、
シリコン系溶融組成物。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 19/04 ( 200 6.01)
, C01B 32/963 ( 201 7.01)
, H01L 21/208 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 19/04
, C01B 32/963
, H01L 21/208
