特許
J-GLOBAL ID:202003002254277726

サブモジュールベースのハイブリッドコンバータの充電方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 舛谷 威志 ,  中尾 洋之
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-535316
特許番号:特許第6716793号
出願日: 2018年01月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】 サブモジュールベースのハイブリッドコンバータの充電方法であって、この方法が以下の具体的な充電ステップを含み: ステップ(1):コンバータによる非コントロール充電プロセスを実行し、 ステップ(2):フルブリッジサブモジュールベースの自己電源に電力を供給し、電力供給が成功した後に、降順で電圧に応じて前記フルブリッジサブモジュールをハーフブロックし、前記フルブリッジサブモジュールを1つずつまたは一度に複数ハーフブロックし、そして当該プロセスの間、バイパスされない残りの前記フルブリッジサブモジュールはブロックされた状態であり、すべてのハーフブリッジサブモジュールをブロックされた状態に維持し、 ステップ(3):すべての前記フルブリッジサブモジュールが、ハーフブロックされた後に、前記コンバータが全コントロール充電プロセスを実行し、 前記サブモジュールベースのハイブリッドコンバータは少なくとも1つフェーズユニットを含み、前記各フェーズユニットは、アッパーブリッジアームおよびローワーブリッジアームを含み、前記アッパーブリッジアームおよび前記ローワーブリッジアームは、それぞれ直列に接続する少なくとも1つのハーフブリッジサブモジュール、少なくとも1つのフルブリッジサブモジュール、および少なくとも1つの抵抗器を含み、コンバータのAC側は、充電抵抗器と同様にそのバイパススイッチおよびインカムスイッチの装置によって、AC電力網に接続し、 前記コンバータによる非コントロール充電プロセスは、前記充電抵抗器が、前記インカムスイッチを閉じ、充電流が設定値Isetより小さくなるか、またはDC電圧が設定値Usetより大きくなった後に、前記バイパススイッチを閉じ、前記充電抵抗器をバイパスし、Iset<0.1puおよびUset>0、前記フルブリッジサブモジュールの電圧は前記ハーフブリッジサブモジュールの約2倍となり、両方の電圧は低くなる、プロセスであり、 ステップ(3)の前記全コントロール充電プロセスは、前記ハーフブリッジサブモジュールのいくつかをブロックし、ハーフブリッジサブモジュールのいくつかをバイパスすること;および前記フルブリッジサブモジュールのいくつかをハーフブロックし、前記フルブリッジサブモジュールのいくつかをバイパスする、方法。
IPC (4件):
H02J 3/36 ( 200 6.01) ,  H02J 5/00 ( 201 6.01) ,  H02M 7/49 ( 200 7.01) ,  H02M 7/483 ( 200 7.01)
FI (4件):
H02J 3/36 ,  H02J 5/00 ,  H02M 7/49 ,  H02M 7/483
引用特許:
出願人引用 (1件)

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