特許

J-GLOBAL ID：202003002259368894

薄膜トランジスタ

発明者： 増茂 邦雄 ,  石橋 奈央 ,  中村 伸宏 ,  渡邉 暁 ,  大越 雄斗 ,  宮川 直通
出願人/特許権者： AGC株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018031337
公開番号（公開出願番号）：WO2019-106896
出願日： 2018年08月24日
公開日（公表日）： 2019年06月06日
要約：

トップゲートコプラナー型の薄膜トランジスタであって、ソース、ドレイン、ゲート、および半導体層を有し、前記半導体層は、前記ソース用の第1の低抵抗領域と、前記ドレイン用の第2の低抵抗領域と、を有し、前記ソースおよび前記ドレインは、前記第1の低抵抗領域、前記半導体層、および前記第2の低抵抗領域を介して電気的に接続され、前記半導体層は、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、およびスズ(Sn)を含む酸化物系の半導体で構成される、薄膜トランジスタ。

請求項（抜粋）：

トップゲートコプラナー型の薄膜トランジスタであって、 ソース、ドレイン、ゲート、および半導体層を有し、 前記半導体層は、前記ソース用の第1の低抵抗領域と、前記ドレイン用の第2の低抵抗領域と、を有し、 前記ソースおよび前記ドレインは、前記第1の低抵抗領域、前記半導体層、および前記第2の低抵抗領域を介して電気的に接続され、 前記半導体層は、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、およびスズ(Sn)を含む酸化物系の半導体で構成される、薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616L

Fターム (67件)：

5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL26 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11