特許
J-GLOBAL ID:202003002444078444

基板を処理するためにイオンビーム電流を制御する装置及び方法並びにイオン注入機

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 杉村 憲司 ,  杉村 光嗣 ,  石川 雅章
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-540891
特許番号:特許第6656260号
出願日: 2016年01月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板を処理するためにイオンビームを制御する装置であって、 該装置は、 前記イオンビームを固定電極アパーチャを通って導き、固定電極の電位を前記イオンビームに印加するように構成される固定電極と、 該固定電極の下流に配置される接地電極アセンブリと、を備え、 該接地電極アセンブリは、 基部と、 前記固定電極に隣接して配置され、前記イオンビームを接地電極アパーチャを通って導くように構成される接地電極と、を備え、 該接地電極は、第1の位置と第2の位置との間を前記固定電極に対して第1の軸に沿って可逆的に可動であり、 前記接地電極が前記第1の位置と前記第2の位置との間を動く時、前記基板における前記イオンビームのビーム電流は、変化し、 基板を処理するためにイオンビームを制御する装置は、 前記基部に取り付けられる複数の支持部材を、さらに備え、それぞれ、前記複数の支持部材を囲んで円周方向に配置される複数のスリーブを、さらに備え、前記複数のスリーブは、前記複数の支持部材に対して前記第1の軸に沿って摺動自在に動くことができる、装置。
IPC (3件):
H01J 37/09 ( 200 6.01) ,  H01J 37/317 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01J 37/09 Z ,  H01J 37/317 C ,  H01L 21/265 T
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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