半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉田稔 , 臼井尚
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-126447
公開番号（公開出願番号）：特開2017-201675
特許番号：特許第6752639号
出願日： 2016年06月27日
公開日（公表日）： 2017年11月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】各々が厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有するリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームの主面に半導体素子を搭載する工程と、前記リードフレームの一部および前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、前記リードフレームのうち前記封止樹脂から露出した部分の少なくとも一部に、置換型の無電解めっきにより表層めっき層を形成する工程と、を備え、前記封止樹脂を形成する工程の後であって、前記表層めっき層を形成する工程の前に、前記封止樹脂および前記リードフレームの前記裏面に少なくとも開口するスリットを形成する工程を備え、前記表層めっき層を形成する工程においては、前記リードフレームのうち前記スリットから露出した部位に、前記表層めっき層を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ( 200 6.01) , H01L 23/28 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 23/50 D , H01L 23/28 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-096271 出願人：ローム株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-215038 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-012815 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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