特許

J-GLOBAL ID：202003002602741105

電子機器

発明者： 湖山 理
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  大塚 康弘 ,  高柳 司郎 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-184978
公開番号（公開出願番号）：特開2020-057841
出願日： 2018年09月28日
公開日（公表日）： 2020年04月09日
要約：

【課題】電子機器の負荷が軽い場合においても、スイッチング動作時の遷移損失を低減でき、スイッチング動作時のリンギングノイズを低減できるようにする。【解決手段】電子機器(10)は、ハイサイドのスイッチ手段と、ローサイドのスイッチ手段と、前記ハイサイドのスイッチ手段をオン状態またはオフ状態にし、前記ローサイドのスイッチ手段をオン状態またはオフ状態にする制御手段とを有し、前記ローサイドのスイッチ手段は、第1のMOSFETと、前記第1のMOSFETと並列接続された第2のMOSFETと、前記第2のMOSFETのバックゲート電位を切り替えるための切替手段とを有し、前記切替手段と前記第2のMOSFETとを接続し、前記第2のMOSFETを前記第1のMOSFETよりもスイッチノードから離れた位置に配置した。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

ハイサイドのスイッチ手段と、 ローサイドのスイッチ手段と、 前記ハイサイドのスイッチ手段をオン状態またはオフ状態にし、前記ローサイドのスイッチ手段をオン状態またはオフ状態にする制御手段と を有し、 前記ローサイドのスイッチ手段は、第1のMOSFETと、前記第1のMOSFETと並列接続された第2のMOSFETと、前記第2のMOSFETのバックゲート電位を切り替えるための切替手段とを有し、 前記切替手段と前記第2のMOSFETとを接続し、 前記第2のMOSFETを前記第1のMOSFETよりもスイッチノードから離れた位置に配置したことを特徴とする電子機器。

IPC (2件)：

H03K 17/16 ,  H02M 3/155

FI (2件)：

H03K17/16 H ,  H02M3/155 H

Fターム (29件)：

5H730AA02 ,  5H730AS05 ,  5H730BB13 ,  5H730DD04 ,  5H730DD12 ,  5H730DD13 ,  5H730DD32 ,  5H730EE07 ,  5H730EE13 ,  5H730EE59 ,  5H730FD01 ,  5H730FF09 ,  5H730FG05 ,  5J055AX25 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055CX13 ,  5J055CX20 ,  5J055DX13 ,  5J055DX14 ,  5J055DX22 ,  5J055DX83 ,  5J055EY05 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055FX17 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX04