特許
J-GLOBAL ID：202003002861544199
クランプ回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 佐野特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-202676
公開番号（公開出願番号）：特開2020-072286
出願日： 2018年10月29日
公開日（公表日）： 2020年05月07日
要約：
【課題】小面積で保護対象素子の耐圧破壊を防ぐ。【解決手段】クランプ回路12は、電子回路の構成要素としてノードn11とノードn12との間に接続された第1導電型(例えばPチャネル型)のトランジスタMP1を保護対象素子とする。クランプ回路12は、電子回路の非動作時にトランジスタMP1のドレイン・ソース間電圧を制限するクランプ素子として、ノードn12とノードn13との間に接続され、その制御端がノードn14に接続された第2導電型(例えばNチャネル型)のトランジスタMN1を有する。ノードn12は、クランプ回路12がなければ電子回路の非動作時にハイインピーダンスとなるノードである。ノードn13及びn14には、それぞれ、電子回路の動作時にトランジスタMN1がオフし、電子回路の非動作時にトランジスタMN1がオンする電圧V3及びV4が印加されている。【選択図】図9A
請求項（抜粋）：
電子回路の構成要素として第1ノードと第2ノードとの間に接続された第1導電型の第1トランジスタを保護対象素子とするクランプ回路であって、
前記電子回路の非動作時に前記第1トランジスタの両端間電圧を制限するクランプ素子として、前記第2ノードと第3ノードとの間に接続され、その制御端が第4ノードに接続された第2導電型の第2トランジスタを有し、
前記第2ノードは、前記クランプ回路がなければ前記電子回路の非動作時にハイインピーダンスとなるノードであり、
前記第3ノード及び前記第4ノードには、それぞれ、前記電子回路の動作時に前記第2トランジスタがオフし、前記電子回路の非動作時に前記第2トランジスタがオンする電圧が印加されていることを特徴とするクランプ回路。
IPC (4件)：
H03F 3/343
, G05F 1/16
, G05F 1/569
, G05F 3/26
H03F3/343 210
, G05F1/16
, G05F1/569
, G05F3/26
5H420BB12
, 5H420BB13
, 5H420CC02
, 5H420DD02
, 5H420EA14
, 5H420EA21
, 5H420LL02
, 5J500AA01
, 5J500AA43
, 5J500AC57
, 5J500AC92
, 5J500AF01
, 5J500AF20
, 5J500AH02
, 5J500AH10
, 5J500AH20
, 5J500AK05
, 5J500AK09
, 5J500AK20
, 5J500AK21
, 5J500AK22
, 5J500AT01
, 5J500PG02
出願人引用 (2件)
審査官引用 (2件)
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テスト媒体
公報種別：公表公報
出願番号：特願2007-516558
出願人：マイクロロジーラボラトリーズ,エル.エル.シー.
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カレントミラー回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-084046
出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
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