特許
J-GLOBAL ID:202003002908470946
Ca2Si5N8単晶
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人アルガ特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-191952
公開番号(公開出願番号):特開2020-059625
出願日: 2018年10月10日
公開日(公表日): 2020年04月16日
要約:
【課題】大気中の酸素や水分に対する安定性が高いCa2Si5N8単晶の提供。【解決手段】X線回折スペクトルにおいて2θ=36.0°に位置するピークの半値幅が0.195°以下である、Ca2Si5N8単晶。当該単晶は、平均粒子径が5〜50μmであるSi3N4と、Ca3N2とを混合し、N2ガスの流通下1300°Cから1500°Cの温度範囲で0.5〜12時間焼成することで得られ、そのX線回折スペクトルを測定し、2θ=36.0(Cukα)の半値幅が0.195°以下となるものである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
X線回折スペクトルにおいて2θ=36.0°に位置するピークの半値幅が0.195°以下である、Ca2Si5N8単晶。
IPC (3件):
C01B 21/082
, C01B 33/06
, C30B 29/38
FI (3件):
C01B21/082 C
, C01B33/06
, C30B29/38 Z
Fターム (22件):
4G072AA20
, 4G072BB05
, 4G072BB12
, 4G072DD03
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH33
, 4G072JJ34
, 4G072LL02
, 4G072MM02
, 4G072MM26
, 4G072MM36
, 4G072RR07
, 4G072RR13
, 4G072RR21
, 4G072TT01
, 4G072TT02
, 4G072UU04
, 4G077AA02
, 4G077AB08
, 4G077CA10
, 4G077EC02
引用特許:
出願人引用 (3件)
-
蛍光体の製造法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2017-000404
出願人:太平洋セメント株式会社, 国立大学法人新潟大学
-
発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-328380
出願人:日亜化学工業株式会社
-
蛍光体の製造方法、蛍光体、半導体発光装置および画像表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-240652
出願人:シャープ株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構
審査官引用 (3件)
-
蛍光体の製造法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2017-000404
出願人:太平洋セメント株式会社, 国立大学法人新潟大学
-
発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-328380
出願人:日亜化学工業株式会社
-
蛍光体の製造方法、蛍光体、半導体発光装置および画像表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-240652
出願人:シャープ株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構
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