特許
J-GLOBAL ID：202003002940222784

半導体装置

発明者：
和田 真一郎

和田 真一郎 について

, 
曽根原 理仁

曽根原 理仁 について


出願人/特許権者：
日立オートモティブシステムズ株式会社

日立オートモティブシステムズ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人開知国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-170716
公開番号（公開出願番号）：特開2018-037932
特許番号：特許第6749184号
出願日： 2016年09月01日
公開日（公表日）： 2018年03月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1制御電極を有する第1トランジスタと、 前記第1トランジスタに並列接続され、第2制御電極を有する第2トランジスタと、 前記第1トランジスタと前記第2トランジスタとの間の第1接続点から前記第1制御電極までの第1経路に設けられ、前記第1接続点の電圧が第1閾値を超えた場合、導通するアクティブクランプ回路と、 前記アクティブクランプ回路から前記第2制御電極までの第2経路に設けられ、前記第2経路に流れる電流を遮断又は抑制するアクティブクランプ遮断回路と、 半導体基板と、 前記第2トランジスタの温度を検出する温度検出回路と、を備える半導体装置であって、 前記第1トランジスタは、前記半導体基板上の第1領域に形成され、 前記第2トランジスタは、前記第1領域に隣接する第2領域に形成され、 前記アクティブクランプ遮断回路は、前記第2トランジスタの温度が第2閾値以下である場合にオンし、前記第2トランジスタの温度が前記第2閾値を超える場合にオフする第3トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H03K 17/0814 ( 200 6.01) ,  H03K 17/695 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H03K 17/081 ,  H03K 17/695 ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 A
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 負荷駆動回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-090367   出願人：株式会社デンソー
  • 電流検出機能を有する負荷駆動回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057718   出願人：株式会社デンソー
  • 特開昭63-318781
全件表示
審査官引用 (7件)
  • 負荷駆動回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-090367   出願人：株式会社デンソー
  • 電流検出機能を有する負荷駆動回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057718   出願人：株式会社デンソー
  • 特開昭63-318781
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM