特許
J-GLOBAL ID:202003003012758084

中間層の複合基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 園田・小林特許業務法人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-236290
公開番号(公開出願番号):特開2014-111830
特許番号:特許第6636682号
出願日: 2013年11月14日
公開日(公表日): 2014年06月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】 実質的にシリコンオキシカーバイドの中間層であって、基板隣接層および表面隣接層を含み、前記基板隣接層および前記表面隣接層から前記シリコンオキシカーバイドと関連する炭素および酸素の濃度傾斜を有する、中間層を複合材料の基板の表面に堆積することと、 前記中間層の上に、高エネルギー被覆または高温被覆を溶射により行うことと、 を含み、高エネルギー被覆または高温被覆の間、前記複合材料の基板の表面が少なくとも部分的に保護される、方法。
IPC (2件):
C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  B32B 9/00 ( 200 6.01)
FI (2件):
C23C 14/06 E ,  B32B 9/00 A
引用特許:
審査官引用 (2件)
引用文献:
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